首页 >BDW51B>规格书列表

型号下载 订购功能描述制造商 上传企业LOGO

BDW51B

Power Transistors

DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N6674, 2N6675 types are NPN Silicon Triple Diffused Mesa Power Transistors designed for high voltage switching applications. MARKING: FULL PART NUMBER

文件:53.7 Kbytes 页数:1 Pages

CENTRAL

BDW51B

Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION • Collector Current -lc=15A • Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(sus) = 45V(Min)- BDW51; 60V(Min)- BDW51A 8OV(Min)- BDW51B; lOOV(Min)- BDW51C • Complement to Type BDW52/A/B/C APPLICATIONS • Designed for use in power linear and switching applications.

文件:135.34 Kbytes 页数:2 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

BDW51B

Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package

文件:11.29 Kbytes 页数:1 Pages

SEME-LAB

BDW51B

isc Silicon NPN Power Transistor

文件:231.16 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

BDW51B

Bipolar Junction Transistors

TT Electronics

晶体管资料

  • 型号:

    BDW51B

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    80V

  • 最大电流允许值:

    15A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    2

  • 可代换的型号:

    BD315,BD745B,2N6327,3DD167A,

  • 最大耗散功率:

    125W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    E-44

  • vtest:

    80

  • htest:

    999900

  • atest:

    15

  • wtest:

    125

详细参数

  • 型号:

    BDW51B

  • 制造商:

    ISC

  • 制造商全称:

    Inchange Semiconductor Company Limited

  • 功能描述:

    isc Silicon NPN Power Transistor

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
24+
TO-3
10000
询价
ST
23+
TO-3
16900
正规渠道,只有原装!
询价
SGS
23+
20000
正品原装货价格低
询价
MOT
23+
TO-3
7300
专注配单,只做原装进口现货
询价
ST
25+
TO-3
16900
原装,请咨询
询价
ST
2511
TO-3
16900
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价
询价
ST
26+
TO-3
60000
只有原装 可配单
询价
ST
专业铁帽
TO-3
67500
铁帽原装主营-可开原型号增税票
询价
MOTOROLA/摩托罗拉
23+
TO-3
5000
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详
询价
ST
1215+
TO-3
500
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
询价
更多BDW51B供应商 更新时间2026-1-17 10:50:00