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BDT82F

isc Silicon PNP Power Transistors

DESCRIPTION • DC Current Gain -hFE = 40(Min)@ IC= -5A • Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = -60V(Min)- BDT82F; -80V(Min)- BDT84F; -100V(Min)- BDT86F; -120V(Min)- BDT88F • Complement to Type BDT81F/83F/85F/87F APPLICATIONS • Designed for use in

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ISC

无锡固电

BDT82F

Silicon PNP Power Transistors

DESCRIPTION • DC Current Gain -hFE = 40(Min)@ IC= -5A • Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = -60V(Min)- BDT82F; -80V(Min)- BDT84F; -100V(Min)- BDT86F; -120V(Min)- BDT88F • Complement to Type BDT81F/83F/85F/87F APPLICATIONS • Designed for use in

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NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

BDW93CTU

TO-220

ON

BDX33C其他被动元件

TO-220

ST/意法

晶体管资料

  • 型号:

    BDT82F(A)

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-PNP

  • 性质:

    功率放大 (L)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    60V

  • 最大电流允许值:

    15A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

  • 最大耗散功率:

    21W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    B-45

  • vtest:

    60

  • htest:

    999900

  • atest:

    15

  • wtest:

    21

详细参数

  • 型号:

    BDT82F

  • 制造商:

    ISC

  • 制造商全称:

    Inchange Semiconductor Company Limited

  • 功能描述:

    isc Silicon PNP Power Transistors

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更多BDT82F供应商 更新时间2026-1-23 16:01:00