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BDT63A	文件：120.22 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION ·CollectorCurrent-IC=10A ·HighDCCurrentGain-hFE=1000(Min)@IC=3A ·ComplementtoTypeBDT62/A/B/C APPLICATIONS ·Designedforaudiooutputstagesandgeneralpurposeamplifierapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

DESCRIPTION ·CollectorCurrent-IC=10A ·HighDCCurrentGain-hFE=1000(Min)@IC=3A ·ComplementtoTypeBDT62/A/B/C APPLICATIONS ·Designedforaudiooutputstagesandgeneralpurposeamplifierapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

BDT63A

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SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS

NPNepitaxial-basetransistorsinamonolithicDalringtoncircuitandhousedinaTO-220envelope.Theyareintendedforoutputstagesinaudioequipment,generalamplifiers,andanalogueswitchingapplication. PNPcomplementsareBDT62-A-B-C CompliancetoRoHS.

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NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

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详细参数

型号：
BDT63A
制造商：
TT Electronics/ Semelab
功能描述：
DARLINGTON TRANSISTOR TO-220

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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