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BDT60F

isc Silicon PNP Darlington Power Transistors

DESCRIPTION · DC Current Gain -hFE = 750(Min)@ IC= -1.5A · Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = -60V(Min)- BDT60F; -80V(Min)- BDT60AF -100V(Min)- BDT60BF; -120V(Min)- BDT60CF · Complement to Type BDT61F/61AF/61BF/61CF APPLICATIONS · D

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ISC

无锡固电

BDT60F

Silicon PNP Darlington Power Transistors

DESCRIPTION • DC Current Gain -hFE= 750(Min)@ IC=-1.5A • Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEo(sus) = -60V(Min)- BDT60F; -SOV(Min)- BDT60AF -100V(Min)- BDT60BF; -120V(Min)- BDT60CF • Complement to Type BDT61F/

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NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

BDW93CTU

TO-220

ON

BDX33C其他被动元件

TO-220

ST/意法

晶体管资料

  • 型号:

    BDT60F

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-P+Darl+Di

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    60V

  • 最大电流允许值:

    4A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BD646F,BD778,2SB1223,2SB1257,2SB1342,

  • 最大耗散功率:

    17W

  • 放大倍数:

    β>750

  • 图片代号:

    B-89

  • vtest:

    60

  • htest:

    999900

  • atest:

    4

  • wtest:

    17

详细参数

  • 型号:

    BDT60F

  • 制造商:

    ISC

  • 制造商全称:

    Inchange Semiconductor Company Limited

  • 功能描述:

    isc Silicon PNP Darlington Power Transistors

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更多BDT60F供应商 更新时间2025-12-19 14:02:00