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BD435	文件：70.41 Kbytes Page：4 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS DESCRIPTION TheBD433,BD435,andBD437aresiliconepitaxial-baseNPNpowertransistorsinJedecSOT-32plasticpackage,intentedforuseinmediumpowerlinearandswitchingapplications.TheBD433isespeciallysuitableforuseincar-radiooutputstages.ThecomplementaryPNPtypesareBD43	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
BD435	文件：183.67 Kbytes Page：5 Pages	PNP SILICON EPIBASE TRANSISTORS PNPSiliconEpibaseTransistors	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
BD435	文件：44.24 Kbytes Page：5 Pages	Medium Power Linear and Switching Applications MediumPowerLinearandSwitchingApplications •ComplementtoBD434,BD436andBD438respectively	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BD435	文件：63.98 Kbytes Page：4 Pages	Plastic Medium Power Silicon NPN Transistor PlasticMediumPowerSiliconNPNTransistor Thisseriesofplastic,medium−powersiliconNPNtransistorscanbeusedforamplifierandswitchingapplications.ComplementarytypesareBD438andBD442. Features •Pb−FreePackagesareAvailable*	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BD435	文件：70.36 Kbytes Page：3 Pages	EPITAXIAL SILICON POWER TRANSISTORS EPITAXIALSILICONPOWERTRANSISTORS IntendedforuseinMediumPowerLinearandSwitchingApplications	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
BD435	文件：102.21 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION •WithTO-126package •ComplementtotypeBD434/436/438 APPLICATIONS •Formediumpowerlinearandswitchingapplications	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
BD435	文件：266.06 Kbytes Page：3 Pages	NPN Silicon Power Transistors Features •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(Note1)(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1 •Intendedforuseinmediumpowernearandswitchingapplications •WithTO-126package •Thecomplemen	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
BD435	文件：130.82 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION •WithTO-126package •ComplementtotypeBD434/436/438 APPLICATIONS •Formediumpowerlinearandswitchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BD435	文件：136.38 Kbytes Page：4 Pages	EPITAXIAL SILICON POWER TRANSISTORS IntendedforuseinMediumPowerLinearandSwitchingApplications BD436,BD438,BD440,BD434,BD442->PNP BD435,BD437,BD439,BD433,BD441-->NPN TO126PlasticPackage	CDIL CDIL	CDIL
BD435	文件：922.34 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN transistor in a TO-126F Plastic Package. Descriptions SiliconNPNtransistorinaTO-126FPlasticPackage. Features ComplementarypairwithBD436. Applications Mediumpowerlinearandswitchingapplications.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
BD435	文件：153.16 Kbytes Page：3 Pages	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION TheUTCBD435isaNPNepitaxialsilicontransistor,itusesUTC’sadvancedtechnologytoprovidethecustomerswithhighDCcurrentgain,etc. TheUTCBD435issuitableformediumpowerlinearandswitchingapplications. FEATURES *HighDCcurrentgain	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
BD435	文件：102.09 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR (NPN) FEATURES PowerdissipationPCM:1.25W(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:4A Collector-basevoltageV(BR)CBO:BD43322VBD43532VBD43745V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
BD435	文件：74.11 Kbytes Page：3 Pages	SILICON NPN POWER TRANSISTORS SILICONNPNPOWERTRANSISTORS. TheBD433-BD435-BD437areNPNTransistorsmountedinJedecTO-126plasticpackage. Theyarerecommendedforuseinmediumpowerlinearandswitchingapplications. PNPcomplementsareBD434-BD436-BD438. CompliancetoRoHS.	COMSET Comset Semiconductor	COMSET
BD435	文件：73.96 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION •WithTO-126package •ComplementtotypeBD434/436/438 APPLICATIONS •Formediumpowerlinearandswitchingapplications	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BD435	文件：125.33 Kbytes Page：1 Pages	NPN Epitaxial Silicon Transistor Features ●MediumPowerLinearandSwitchingApplications	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
BD435	文件：224.46 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR (NPN) FEATURES AmplifierandSwitchingApplications	FS First Silicon Co., Ltd	FS
BD435	文件：103.78 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
BD435	文件：294.58 Kbytes Page：3 Pages	NPN Silicon Power Transistors	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
BD435	文件：65.459 Kbytes Page：4 Pages	Plastic Medium Power Silicon NPN Transistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BD435	文件：53.68 Kbytes Page：4 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS

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晶体管资料

型号：
BD435(A-C)(-10...-25)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
32V
最大电流允许值：
4A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BD185,BD195,3DD62A,
最大耗散功率：
36W
放大倍数：
图片代号：
B-21
vtest：
32
htest：
100000100
atest：
4
wtest：
36

产品属性

产品编号：
BD435
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 200mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 10mA，5V
频率 - 跃迁：
3MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-225AA，TO-126-3
供应商器件封装：
SOT-32-3
描述：
TRANS NPN 32V 4A SOT32-3

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更多BD435供应商更新时间2024-4-28 15:30:00

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