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BD435	文件：53.68 Kbytes Page：4 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 文件：53.68 Kbytes 页数：4 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
BD435-TU	文件：1.05321 Mbytes Page：3 Pages	丝印：BD435；Package：TO-126；TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Amplifier and Switching Applications Complement To BD434, BD436 And BD438 文件：1.05321 Mbytes 页数：3 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
BD435	文件：300 bytes Page：1 Pages	Bipolar Transistor The UTC BD435 is a NPN epitaxial silicon transistor, it uses UTC’s advanced technology to provide the customers with high DCcurrent gain, etc. The UTC BD435 is suitable for medium power linear and switching applications.	UTC 友顺	UTC
BD435	文件：300 bytes Page：1 Pages	晶体管	JSCJ 长晶科技	JSCJ
BD435	文件：300 bytes Page：1 Pages	中等功率双极型晶体管	MCC 美微科	MCC
BD435	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-225AA，TO-126-3；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 32V 4A SOT32-3	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
BD435	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-225AA，TO-126-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 32V 4A TO126	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BD435G	文件：84.42 Kbytes Page：4 Pages	Plastic Medium-Power Silicon NPN Transistors Plastic Medium Power Silicon NPN Transistor This series of plastic, medium−power silicon NPN transistors can be used for amplifier and switching applications. Complementary types are BD438 and BD442. Features • Pb−Free Packages are Available* 文件：84.42 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BD435NPN	文件：136.38 Kbytes Page：4 Pages	EPITAXIAL SILICON POWER TRANSISTORS Intended for use in Medium Power Linear and Switching Applications BD436,BD438,BD440,BD434,BD442 ->PNP BD435 ,BD437 ,BD439 ,BD433 ,BD441 -->NPN TO126 Plastic Package 文件：136.38 Kbytes 页数：4 Pages	CDIL	CDIL
BD435_05	文件：65.459 Kbytes Page：4 Pages	Plastic Medium Power Silicon NPN Transistor 文件：65.459 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

晶体管资料

型号：
BD435(A-C)(-10...-25)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
32V
最大电流允许值：
4A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BD185,BD195,3DD62A,
最大耗散功率：
36W
放大倍数：
图片代号：
B-21
vtest：
32
htest：
100000100
atest：
4
wtest：
36

产品属性

产品编号：
BD435
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 200mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 10mA，5V
频率 - 跃迁：
3MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-225AA，TO-126-3
供应商器件封装：
SOT-32-3
描述：
TRANS NPN 32V 4A SOT32-3

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