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BD435	文件：102.21 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-126 package • Complement to type BD434/436/438 APPLICATIONS • For medium power linear and switching applications 文件：102.21 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
BD435	文件：183.67 Kbytes Page：5 Pages	PNP SILICON EPIBASE TRANSISTORS PNP Silicon Epibase Transistors 文件：183.67 Kbytes 页数：5 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BD435	文件：70.41 Kbytes Page：4 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS DESCRIPTION The BD433, BD435, and BD437 are silicon epitaxial-base NPN power transistors in Jedec SOT-32 plastic package, intented for use in medium power linear and switching applications. The BD433 is especially suitable for use in car-radio output stages. The complementary PNP types are BD43 文件：70.41 Kbytes 页数：4 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
BD435	文件：102.09 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR (NPN) FEATURES Power dissipation PCM: 1.25 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: 4 A Collector-base voltage V(BR)CBO: BD433 22 V BD435 32 V BD437 45 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：102.09 Kbytes 页数：1 Pages	WINNERJOIN 永而佳	WINNERJOIN
BD435	文件：922.34 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN transistor in a TO-126F Plastic Package. Descriptions Silicon NPN transistor in a TO-126F Plastic Package. Features Complementary pair with BD436. Applications Medium power linear and switching applications. 文件：922.34 Kbytes 页数：6 Pages	FOSHAN 蓝箭电子	FOSHAN
BD435	文件：224.46 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR (NPN) FEATURES Amplifier and Switching Applications 文件：224.46 Kbytes 页数：2 Pages	FS	FS
BD435	文件：70.36 Kbytes Page：3 Pages	EPITAXIAL SILICON POWER TRANSISTORS EPITAXIAL SILICON POWER TRANSISTORS Intended for use in Medium Power Linear and Switching Applications 文件：70.36 Kbytes 页数：3 Pages	TEL	TEL
BD435	文件：103.78 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：103.78 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
BD435	文件：65.459 Kbytes Page：4 Pages	Plastic Medium Power Silicon NPN Transistor 文件：65.459 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BD435	文件：294.58 Kbytes Page：3 Pages	NPN Silicon Power Transistors 文件：294.58 Kbytes 页数：3 Pages	MCC	MCC

晶体管资料

型号：
BD435(A-C)(-10...-25)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
32V
最大电流允许值：
4A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BD185,BD195,3DD62A,
最大耗散功率：
36W
放大倍数：
图片代号：
B-21
vtest：
32
htest：
100000100
atest：
4
wtest：
36

产品属性

产品编号：
BD435
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 200mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 10mA，5V
频率 - 跃迁：
3MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-225AA，TO-126-3
供应商器件封装：
SOT-32-3
描述：
TRANS NPN 32V 4A SOT32-3

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更多BD435供应商更新时间2025-12-24 14:10:00

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