| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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15年
留言
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ONSEMI/安森美TO-126 |
45000 |
25+ |
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ONSEMI/安森美全新现货BD435即刻询购立享优惠#长期有排单订 |
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7年
留言
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onsemiTO-126 |
18798 |
25+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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12年
留言
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ST/意法TO-126 |
9850 |
2450+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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2年
留言
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STM |
28500 |
08+/09+ |
SOT-32-3 (TO-126-3) |
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3年
留言
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ST专家TO-126 |
6800 |
2021+ |
原厂原装,欢迎咨询 |
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6年
留言
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ST/意法TO-126 |
2290 |
02+02+ |
原装进口无铅现货 |
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3年
留言
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onsemi(安森美)TO-225 |
34 |
25 |
QQ询价 绝对原装正品 |
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7年
留言
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onsemi(安森美)TO-126 |
21000 |
25+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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12年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-126F |
9850 |
2450+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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5年
留言
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ST/意法SOT-32 |
31518 |
17+ |
原装正品 可含税交易 |
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7年
留言
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CJ/长晶TO126 |
54648 |
2026+ |
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价 |
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8年
留言
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STM原厂原封 |
30550 |
24+ |
只做原装 |
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12年
留言
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ST/意法TO-126 |
30000 |
25+ |
全新原装现货,价格优势 |
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11年
留言
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ST/意法TO-126 |
30000 |
25+ |
全新原装现货 价格优势 |
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10年
留言
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STTO-220 |
5000 |
23+ |
专做原装正品,假一罚百! |
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6年
留言
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CJ/长电TO-126 |
30000 |
21+ |
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税发票 |
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1年
留言
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ST/意法SOT-32-3(TO-126-3) |
20000 |
25+ |
原装正品 |
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6年
留言
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ONTO-220-3 |
50000 |
22+ |
原装正品假一罚十,代理渠道价格优 |
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10年
留言
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ST/意法NA |
12820 |
21+ |
只做原装,质量保证 |
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11年
留言
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STTO-3 |
6540 |
2450+ |
只做原厂原装正品终端客户免费申请样品 |
BD435采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
BD435图片
BD435STU价格
BD435STU价格:¥1.1123品牌:Fairchild
生产厂家品牌为Fairchild的BD435STU多少钱,想知道BD435STU价格是多少?参考价:¥1.1123。这里提供2026年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,BD435STU批发价格及采购报价,BD435STU销售排行榜及行情走势,BD435STU报价。
BD435中文资料Alldatasheet PDF
更多BD435功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Medium Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BD435_05制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Plastic Medium Power Silicon NPN Transistor
BD435G功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 4A 22V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
产品属性
- 产品编号:
BD435
- 制造商:
STMicroelectronics
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
散装
- 晶体管类型:
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
500mV @ 200mA,2A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
100µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
40 @ 10mA,5V
- 频率 - 跃迁:
3MHz
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-225AA,TO-126-3
- 供应商器件封装:
SOT-32-3
- 描述:
TRANS NPN 32V 4A SOT32-3
































