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BD435

BD435

ONSEMI/安森美TO-126

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BD435

onsemiTO-126

18798

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ST/意法TO-126

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STM

28500

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SOT-32-3 (TO-126-3)

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ST专家TO-126

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原厂原装,欢迎咨询

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BD435

ST/意法TO-126

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原装进口无铅现货

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BD435G

onsemi(安森美)TO-225

34

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QQ询价 绝对原装正品

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onsemi(安森美)TO-126

21000

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BD435S

FAIRCHILD/仙童TO-126F

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ST/意法SOT-32

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CJ/长晶TO126

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STM原厂原封

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ST/意法TO-126

30000

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全新原装现货,价格优势

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ST/意法TO-126

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全新原装现货 价格优势

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STTO-220

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百域芯优势 实单必成 可开13点增值税发票

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ST/意法SOT-32-3(TO-126-3)

20000

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原装正品

深圳市芯皇电子有限公司

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原装正品假一罚十,代理渠道价格优

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ST/意法NA

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只做原装,质量保证

深圳市科恒伟业电子有限公司

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STTO-3

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BD435功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Medium Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

BD435_05制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Plastic Medium Power Silicon NPN Transistor

BD435G功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 4A 22V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

产品属性

  • 产品编号:

    BD435

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    500mV @ 200mA,2A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    40 @ 10mA,5V

  • 频率 - 跃迁:

    3MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-225AA,TO-126-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-32-3

  • 描述:

    TRANS NPN 32V 4A SOT32-3