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BD435G	文件：84.42 Kbytes Page：4 Pages	Plastic Medium-Power Silicon NPN Transistors Plastic Medium Power Silicon NPN Transistor This series of plastic, medium−power silicon NPN transistors can be used for amplifier and switching applications. Complementary types are BD438 and BD442. Features • Pb−Free Packages are Available* 文件：84.42 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BD435G	文件：65.459 Kbytes Page：4 Pages	Plastic Medium Power Silicon NPN Transistor 文件：65.459 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BD435G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-225AA，TO-126-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 32V 4A TO126	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BD435NPN	文件：136.38 Kbytes Page：4 Pages	EPITAXIAL SILICON POWER TRANSISTORS Intended for use in Medium Power Linear and Switching Applications BD436,BD438,BD440,BD434,BD442 ->PNP BD435 ,BD437 ,BD439 ,BD433 ,BD441 -->NPN TO126 Plastic Package 文件：136.38 Kbytes 页数：4 Pages	CDIL	CDIL
BD435-TU	文件：1.05321 Mbytes Page：3 Pages	TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Amplifier and Switching Applications Complement To BD434, BD436 And BD438 文件：1.05321 Mbytes 页数：3 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
BD-A435ND	文件：195.31 Kbytes Page：2 Pages	DUAL DIGIT LED DISPLAYS 文件：195.31 Kbytes 页数：2 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC

产品属性

产品编号：
BD435G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 200mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
85 @ 500mA，1V
频率 - 跃迁：
3MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-225AA，TO-126-3
供应商器件封装：
TO-126
描述：
TRANS NPN 32V 4A TO126

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更多BD435G供应商更新时间2025-12-28 8:12:00

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