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BD442	文件：70.36 Kbytes Page：3 Pages	EPITAXIAL SILICON POWER TRANSISTORS EPITAXIALSILICONPOWERTRANSISTORS IntendedforuseinMediumPowerLinearandSwitchingApplications	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
BD442	文件：150.18 Kbytes Page：9 Pages	PNP power transistor DESCRIPTION TheBD439andBD441aresiliconepitaxial-baseNPNpowertransistorsinJedecSOT-32plasticpackage,intentedforuseinpowerlinearandswitchingapplications. ThecomplementaryPNPtypesareBD440,andBD442respectively. ■SGS-THOMSONPREFERREDSALESTYPES ■COMPLEMENTARYPNP-	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
BD442	文件：102.78 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION •WithTO-126package •ComplementtotypeBD439,BD441 APPLICATIONS •Formediumpowerlinearandswitchingapplications	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
BD442	文件：64.019 Kbytes Page：4 Pages	Plastic Medium Power Silicon PNP Transistor 4.0AMPPOWERTRANSISTORSPNPSILICON Thisseriesofplastic,medium−powersiliconPNPtransistorscanbeusedforforamplifierandswitchingapplications.ComplementarytypesareBD437andBD441. Features •Pb−FreePackagesareAvailable*	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BD442	文件：131.67 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION •WithTO-126package •ComplementtotypeBD439,BD441 APPLICATIONS •Formediumpowerlinearandswitchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BD442	文件：183.67 Kbytes Page：5 Pages	PNP SILICON EPIBASE TRANSISTORS PNPSiliconEpibaseTransistors	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
BD442	文件：217.71 Kbytes Page：2 Pages	Plastic Encapsulate Transistors Features *Amplifierandswitchingapplications	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS
BD442	文件：519.559 Kbytes Page：2 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORBD439,BD440seriestypesareComplementarySiliconPowerTransistors,manufacturedbytheepitaxialbaseprocess,designedformediumpower,lowspeedswitchingapplications. MARKING:FULLPARTNUMBER	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
BD442	文件：1.34859 Mbytes Page：4 Pages	TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES AmplifierandSwitchingApplications ComplementToBD439,BD441	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
BD442	文件：136.38 Kbytes Page：4 Pages	EPITAXIAL SILICON POWER TRANSISTORS IntendedforuseinMediumPowerLinearandSwitchingApplications BD436,BD438,BD440,BD434,BD442->PNP BD435,BD437,BD439,BD433,BD441-->NPN TO126PlasticPackage	CDIL CDIL	CDIL
BD442	文件：73.11 Kbytes Page：3 Pages	SILICON PNP POWER TRANSISTORS SILICONPNPPOWERTRANSISTORS. TheBD440-BD442arePNPTransistorsmountedinJedecTO-126plasticpackage. Theyarerecommendedforuseinmediumpowerlinearandswitchingapplications. NPNcomplementsareBD439-BD441. CompliancetoRoHS.	COMSET Comset Semiconductor	COMSET
BD442	文件：921.38 Kbytes Page：6 Pages	Silicon PNP transistor in a TO-126F Plastic Package. Description SiliconPNPtransistorinaTO-126FPlasticPackage. Features ComplementarypairwithBD441. Applications Mediumpowerlinearandswitchingapplications.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
BD442	文件：125.87 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION •Collector-EmitterSustainingVoltage- :VCEO(sus)=-80V(Min) •ComplementtotypeBD441 APPLICATIONS •Designedformediumpowerlinearandswitching applications.	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BD442	文件：111.37 Kbytes Page：4 Pages	Plastic Medium Power Silicon PNP Transistor 4.0AMPERESPOWERTRANSISTORSPNPSILICON ...foramplifierandswitchingapplications.Complementarytypes areBD437andBD441.	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
BD442	文件：111.37 Kbytes Page：4 Pages	POWER TRANSISTORS PNP SILICON 4.0AMPPOWERTRANSISTORSPNPSILICON Thisseriesofplastic,medium−powersiliconPNPtransistorscanbeusedforforamplifierandswitchingapplications.ComplementarytypesareBD437andBD441. Features •Pb−FreePackagesareAvailable*	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BD442	文件：69.79 Kbytes Page：4 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS DESCRIPTION TheBD439andBD441aresiliconepitaxial-baseNPNpowertransistorsinJedecSOT-32plasticpackage,intentedforuseinpowerlinearandswitchingapplications. ThecomplementaryPNPtypesareBD440,andBD442respectively. ■SGS-THOMSONPREFERREDSALESTYPES ■COMPLEMENTARYPNP-	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
BD442	文件：41.9 Kbytes Page：4 Pages	Medium Power Linear and Switching Applications MediumPowerLinearandSwitchingApplications •ComplementtoBD439,BD441respectively	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BD442	文件：53.26 Kbytes Page：4 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
BD442	文件：104.35 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
BD442	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：TO-225AA，TO-126-3 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 80V 4A SOT32	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS

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晶体管资料

型号：
BD442
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
80V
最大电流允许值：
4A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BD190,BD200,CD50B,
最大耗散功率：
36W
放大倍数：
图片代号：
B-21
vtest：
80
htest：
100000100
atest：
4
wtest：
36

产品属性

产品编号：
BD442
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
800mV @ 200mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 500mA，1V
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-225AA，TO-126-3
供应商器件封装：
SOT-32
描述：
TRANS PNP 80V 4A SOT32

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BD442供应商更新时间2024-5-1 10:18:00

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