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BD442	文件：1.34859 Mbytes Page：4 Pages	丝印：BD442；Package：TO-126；TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Amplifier and Switching Applications Complement To BD439, BD441 文件：1.34859 Mbytes 页数：4 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
BD442	文件：921.38 Kbytes Page：6 Pages	Silicon PNP transistor in a TO-126F Plastic Package. Description Silicon PNP transistor in a TO-126F Plastic Package. Features Complementary pair with BD441. Applications Medium power linear and switching applications. 文件：921.38 Kbytes 页数：6 Pages	FOSHAN 蓝箭电子	FOSHAN
BD442	文件：70.36 Kbytes Page：3 Pages	EPITAXIAL SILICON POWER TRANSISTORS EPITAXIAL SILICON POWER TRANSISTORS Intended for use in Medium Power Linear and Switching Applications 文件：70.36 Kbytes 页数：3 Pages	TEL	TEL
BD442	文件：150.18 Kbytes Page：9 Pages	PNP power transistor DESCRIPTION The BD439 and BD441 are silicon epitaxial-base NPN power transistors in Jedec SOT-32 plastic package, intented for use in power linear and switching applications. The complementary PNP types are BD440, and BD442 respectively. ■ SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPES ■ COMPLEMENTARY PNP - 文件：150.18 Kbytes 页数：9 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
BD442	文件：136.38 Kbytes Page：4 Pages	EPITAXIAL SILICON POWER TRANSISTORS Intended for use in Medium Power Linear and Switching Applications BD436,BD438,BD440,BD434,BD442 ->PNP BD435 ,BD437 ,BD439 ,BD433 ,BD441 -->NPN TO126 Plastic Package 文件：136.38 Kbytes 页数：4 Pages	CDIL	CDIL
BD442	文件：519.559 Kbytes Page：2 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR BD439, BD440 series types are Complementary Silicon Power Transistors, manufactured by the epitaxial base process, designed for medium power, low speed switching applications. MARKING: FULL PART NUMBER 文件：519.559 Kbytes 页数：2 Pages	Central	Central
BD442	文件：111.37 Kbytes Page：4 Pages	Plastic Medium Power Silicon PNP Transistor 4.0 AMPERES POWER TRANSISTORS PNP SILICON . . . for amplifier and switching applications. Complementary types are BD437 and BD441. 文件：111.37 Kbytes 页数：4 Pages	Motorola 摩托罗拉	Motorola
BD442	文件：749.25 Kbytes Page：5 Pages	Single Bipolar Transistor Applications • Intended for use in Medium Power Linear and Switching Applications 文件：749.25 Kbytes 页数：5 Pages	MULTICOMP 易络盟	MULTICOMP
BD442	文件：73.11 Kbytes Page：3 Pages	SILICON PNP POWER TRANSISTORS SILICON PNP POWER TRANSISTORS. The BD440-BD442 are PNP Transistors mounted in Jedec TO-126 plastic package. They are recommended for use in medium power linear and switching applications. NPN complements are BD439-BD441. Compliance to RoHS. 文件：73.11 Kbytes 页数：3 Pages	COMSET	COMSET
BD442	文件：131.67 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-126 package • Complement to type BD439,BD441 APPLICATIONS • For medium power linear and switching applications 文件：131.67 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC

晶体管资料

型号：
BD442
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
80V
最大电流允许值：
4A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BD190,BD200,CD50B,
最大耗散功率：
36W
放大倍数：
图片代号：
B-21
vtest：
80
htest：
100000100
atest：
4
wtest：
36

产品属性

产品编号：
BD442
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
800mV @ 200mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 500mA，1V
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-225AA，TO-126-3
供应商器件封装：
SOT-32
描述：
TRANS PNP 80V 4A SOT32

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