| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
深圳市柯尔基电子有限公司10年
留言
|
ST/意法TO126 |
9865 |
23+/24+ |
主推型号,原装正品,终端BOM表可配单,可开13点税 |
|||
|
深圳市星佑电子有限公司3年
留言
|
490 |
1902 |
原装现货 |
||||
|
深圳市天芯威科技有限公司1年
留言
|
STTO126 |
30000 |
22+ |
原装正品 |
|||
|
深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
|
长电TO-126 |
2000 |
2021 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
|
深圳市毅创腾电子科技有限公司13年
留言
|
STTO-126 |
3200 |
23+ |
绝对全新原装!优势供货渠道!特价!请放心订购! |
|||
|
深圳市鼎盛源芯科技有限公司6年
留言
|
ON原厂封装 |
10000 |
16+ |
全新原装正品,代理优势渠道供应,欢迎来电咨询 |
|||
|
深圳市环球伟业电子有限公司2年
留言
|
长电TO-126 |
10873 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
|
深圳市卓越微芯电子有限公司10年
留言
|
NXPTO-126 |
16000 |
2020+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
|||
|
深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
|
PHTO-126 |
9852 |
1950+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
|||
|
深圳市振宏微科技有限公司8年
留言
|
STTO-126 |
5000 |
23+ |
专做原装正品,假一罚百! |
|||
|
深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
|
AEGITTMOTSGS原厂原装 |
33410 |
23+ |
全新原装 |
|||
|
深圳市瑞浩芯科技有限公司10年
留言
|
STTO126 |
25000 |
20+ |
全新原装现货,假一赔十 |
|||
|
深圳市恒达亿科技有限公司10年
留言
|
MOTQFP |
3200 |
23+ |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
|||
|
深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
|
ONTO-126 |
200 |
|||||
|
深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
|
长电TO-126 |
10065 |
23+ |
原装正品,有挂有货,假一赔十 |
|||
|
深圳市远进半导体有限公司3年
留言
|
STTO126 |
25000 |
22 |
3月31原装,微信报价 |
|||
|
深圳市富芯乐电子科技有限公司9年
留言
|
STTO-126 |
5000 |
22+ |
绝对全新原装现货 |
|||
|
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
|
ON/安森美SOT-32 |
81000 |
2021+ |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
|||
|
深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
|
STTO126 |
15000 |
23+ |
原厂原装正品现货 |
|||
|
深圳市诺美思科技有限公司14年
留言
|
onsemiTO-126 |
9800 |
22+/23+ |
原装进口公司现货假一赔百 |
BD442采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
BD442图片
BD442价格
BD442价格：￥0.8337品牌：STMicroelectronics
生产厂家品牌为STMicroelectronics的BD442多少钱，想知道BD442价格是多少？参考价：￥0.8337。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，BD442批发价格及采购报价，BD442销售排行榜及行情走势，BD442报价。
BD442中文资料Alldatasheet PDF
更多BD442功能描述:两极晶体管 - BJT 4A 80V 36W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BD442G功能描述:两极晶体管 - BJT 4A 80V 36W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BD442S功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BD442STU功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
产品属性
- 产品编号：
BD442
- 制造商：
STMicroelectronics
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
800mV @ 200mA，2A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 500mA，1V
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-225AA，TO-126-3
- 供应商器件封装：
SOT-32
- 描述：
TRANS PNP 80V 4A SOT32
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-PNP
- 性质：
低频或音频放大 （LF）_功率放大 （L）
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
80V
- 最大电流允许值：
4A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
BD190,BD200,CD50B,
- 最大耗散功率：
36W
- 放大倍数：
- 图片代号：
B-21
- vtest：
80
- htest：
100000100
- atest：
4
- wtest：
36
