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BD439G	文件：84.42 Kbytes Page：4 Pages	Plastic Medium-Power Silicon NPN Transistors Plastic Medium Power Silicon NPN Transistor This series of plastic, medium−power silicon NPN transistors can be used for amplifier and switching applications. Complementary types are BD438 and BD442. Features • Pb−Free Packages are Available* 文件：84.42 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BD439G	文件：65.459 Kbytes Page：4 Pages	Plastic Medium Power Silicon NPN Transistor 文件：65.459 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BD439G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-225AA，TO-126-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 60V 4A TO126	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BD439NPN	文件：136.38 Kbytes Page：4 Pages	EPITAXIAL SILICON POWER TRANSISTORS Intended for use in Medium Power Linear and Switching Applications BD436,BD438,BD440,BD434,BD442 ->PNP BD435 ,BD437 ,BD439 ,BD433 ,BD441 -->NPN TO126 Plastic Package 文件：136.38 Kbytes 页数：4 Pages	CDIL	CDIL
BD439-TU	文件：2.547 Mbytes Page：5 Pages	TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Amplifier and Switching Applications Complement To BD440, BD442 文件：2.547 Mbytes 页数：5 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
C439	文件：201.75 Kbytes Page：1 Pages	0603AF Chip Inductors, 14 values, 10 of each 文件：201.75 Kbytes 页数：1 Pages	COILCRAFT	COILCRAFT

产品属性

产品编号：
BD439G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
管件
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
800mV @ 300mA，3A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 500mA，1V
频率 - 跃迁：
3MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-225AA，TO-126-3
供应商器件封装：
TO-126
描述：
TRANS NPN 60V 4A TO126

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更多BD439G供应商更新时间2026-1-17 22:59:00

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