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BD441G

Plastic Medium-Power Silicon NPN Transistors

Plastic Medium Power Silicon NPN Transistor This series of plastic, medium−power silicon NPN transistors can be used for amplifier and switching applications. Complementary types are BD438 and BD442. Features • Pb−Free Packages are Available*

文件:84.42 Kbytes 页数:4 Pages

ONSEMI

安森美半导体

BD441G

Plastic Medium Power Silicon NPN Transistor

文件:65.459 Kbytes 页数:4 Pages

ONSEMI

安森美半导体

BD441G

Package:TO-225AA,TO-126-3;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 80V 4A TO126

ONSEMI

安森美半导体

BD441NPN

EPITAXIAL SILICON POWER TRANSISTORS

Intended for use in Medium Power Linear and Switching Applications BD436,BD438,BD440,BD434,BD442 ->PNP BD435 ,BD437 ,BD439 ,BD433 ,BD441 -->NPN TO126 Plastic Package

文件:136.38 Kbytes 页数:4 Pages

CDIL

BD441-TU

TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors

FEATURES Amplifier and Switching Applications Complement To BD440, BD442

文件:2.547 Mbytes 页数:5 Pages

DGNJDZ

南晶电子

BF441

Silicon PNP Transistor

文件:237.05 Kbytes 页数:3 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

产品属性

  • 产品编号:

    BD441G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    800mV @ 300mA,3A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100µA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    40 @ 500mA,1V

  • 频率 - 跃迁:

    3MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-225AA,TO-126-3

  • 供应商器件封装:

    TO-126

  • 描述:

    TRANS NPN 80V 4A TO126

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多BD441G供应商 更新时间2025-12-15 13:19:00