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BD435分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

BD435

参数属性

BD435 封装/外壳为TO-225AA,TO-126-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 32V 4A TO126

功能描述

Plastic Medium Power Silicon NPN Transistor
TRANS NPN 32V 4A TO126

封装外壳

TO-225AA,TO-126-3

文件大小

63.98 Kbytes

页面数量

4

生产厂商

ONSEMI

中文名称

安森美半导体

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数据手册

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更新时间

2026-1-25 16:10:00

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晶体管资料

  • 型号:

    BD435(A-C)(-10...-25)

  • 别名:

    BD435三极管、BD435晶体管、BD435晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_功率放大 (L)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    32V

  • 最大电流允许值:

    4A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BD185,BD195,3DD62A,

  • 最大耗散功率:

    36W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    B-21

  • vtest:

    32

  • htest:

    100000100

  • atest:

    4

  • wtest:

    36

BD435规格书详情

BD435属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由安森美半导体制造生产的BD435晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

Plastic Medium Power Silicon NPN Transistor

This series of plastic, medium−power silicon NPN transistors can be used for amplifier and switching applications. Complementary types are BD438 and BD442.

特性 Features

• Pb−Free Packages are Available*

产品属性

更多
  • 产品编号:

    BD435

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    500mV @ 200mA,2A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100µA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    85 @ 500mA,1V

  • 频率 - 跃迁:

    3MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-225AA,TO-126-3

  • 供应商器件封装:

    TO-126

  • 描述:

    TRANS NPN 32V 4A TO126

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
恩XP
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