首页>BD434>规格书详情

BD434分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

PDF无图
厂商型号

BD434

参数属性

BD434 封装/外壳为TO-225AA,TO-126-3;包装为剪切带(CT)带盒(TB);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 22V 4A SOT32-3

功能描述

EPITAXIAL SILICON POWER TRANSISTORS

封装外壳

TO-225AA,TO-126-3

文件大小

70.36 Kbytes

页面数量

3

生产厂商

TEL

网址

网址

数据手册

下载地址一下载地址二

更新时间

2026-1-25 11:18:00

人工找货

BD434价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

晶体管资料

  • 型号:

    BD434(A-C)(-10...-25)

  • 别名:

    BD434三极管、BD434晶体管、BD434晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-PNP

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_功率放大 (L)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    22V

  • 最大电流允许值:

    4A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BD186,BD196,CD50A,

  • 最大耗散功率:

    36W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    B-21

  • vtest:

    22

  • htest:

    100000100

  • atest:

    4

  • wtest:

    36

BD434规格书详情

EPITAXIAL SILICON POWER TRANSISTORS

Intended for use in Medium Power Linear and Switching Applications

产品属性

  • 产品编号:

    BD434

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    剪切带(CT)带盒(TB)

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    500mV @ 200mA,2A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    40 @ 10mA,5V

  • 频率 - 跃迁:

    3MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-225AA,TO-126-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-32-3

  • 描述:

    TRANS PNP 22V 4A SOT32-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST
25+
原厂原封
16900
原装,请咨询
询价
ST
24+
TO-126
80000
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增
询价
FAIRCHILD/仙童
23+
TO-126
7800
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详
询价
三年内
1983
只做原装正品
询价
24+
N/A
65000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
询价
ST
1922+
TO-126
6896
原装进口现货库存专业工厂研究所配单供货
询价
FAIRCHILD/仙童
23+
TO-126F126
50000
全新原装正品现货,支持订货
询价
NSC
24+
121
询价
ST
26+
NA
60000
只有原装 可配单
询价
ST
23+24
TO-126
29840
主营MOS管,二极.三极管,肖特基二极管.功率三极管
询价