BD434分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
BD434 |
| 参数属性 | BD434 封装/外壳为TO-225AA，TO-126-3；包装为剪切带（CT）带盒（TB）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 22V 4A SOT32-3 |
| 功能描述 | PNP SILICON EPIBASE TRANSISTORS |
| 封装外壳 | TO-225AA，TO-126-3 |
| 文件大小 |
183.67 Kbytes |
| 页面数量 |
5 页 |
| 生产厂商 | SIEMENS |
| 中文名称 | 西门子 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2026-1-21 1:01:00 |
| 人工找货 | BD434价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
BD434三极管、BD434晶体管、BD434晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-PNP
- 性质：
低频或音频放大 （LF）_功率放大 （L）
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
22V
- 最大电流允许值：
4A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
BD186,BD196,CD50A,
- 最大耗散功率：
36W
- 放大倍数：
- 图片代号：
B-21
- vtest：
22
- htest：
100000100
- atest：
4
- wtest：
36
BD434规格书详情
PNP Silicon Epibase Transistors
产品属性
- 产品编号：
BD434
- 制造商：
STMicroelectronics
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
剪切带（CT）带盒（TB）
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 200mA，2A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 10mA，5V
- 频率 - 跃迁：
3MHz
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-225AA，TO-126-3
- 供应商器件封装：
SOT-32-3
- 描述：
TRANS PNP 22V 4A SOT32-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
08+ |
TO-126 |
2000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
STMicroelectronics |
25+ |
N/A |
21000 |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
询价 | ||
STMicroelectronics |
25+ |
N/A |
21000 |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
询价 | ||
ST |
24+ |
TO-126 |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
询价 | ||
ROHM/罗姆 |
24+ |
SOP-8 |
6618 |
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FSC/ST |
25+ |
TO-126F |
945 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
ST |
23+ |
原厂原封 |
16900 |
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ST |
25+ |
50 |
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询价 | |||
ST |
22+ |
TO126 |
20000 |
公司只有原装 品质保证 |
询价 | ||
恩XP |
2450+ |
TO-126 |
6885 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
询价 |
