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BD435分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

BD435

参数属性

BD435 封装/外壳为TO-225AA,TO-126-3;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 32V 4A SOT32-3

功能描述

EPITAXIAL SILICON POWER TRANSISTORS

封装外壳

TO-225AA,TO-126-3

文件大小

136.38 Kbytes

页面数量

4

生产厂商

CDIL

网址

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数据手册

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更新时间

2026-1-24 12:44:00

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晶体管资料

  • 型号:

    BD435(A-C)(-10...-25)

  • 别名:

    BD435三极管、BD435晶体管、BD435晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_功率放大 (L)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    32V

  • 最大电流允许值:

    4A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BD185,BD195,3DD62A,

  • 最大耗散功率:

    36W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    B-21

  • vtest:

    32

  • htest:

    100000100

  • atest:

    4

  • wtest:

    36

BD435规格书详情

Intended for use in Medium Power Linear and Switching Applications

BD436,BD438,BD440,BD434,BD442 ->PNP

BD435 ,BD437 ,BD439 ,BD433 ,BD441 -->NPN

TO126 Plastic Package

产品属性

  • 产品编号:

    BD435

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    500mV @ 200mA,2A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    40 @ 10mA,5V

  • 频率 - 跃迁:

    3MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-225AA,TO-126-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-32-3

  • 描述:

    TRANS NPN 32V 4A SOT32-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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