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DB434	文件：180.98 Kbytes Page：5 Pages	NPNSILICONEPIBASETRANSISTORS NPNSiliconEpibaseTransistors	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
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DG434A	文件：213.73 Kbytes Page：4 Pages	2CHANNELDRIVERSWITHSPSTANDDPSTFETSWITCHES	Intersil Intersil Corporation	Intersil
F434	文件：94.35 Kbytes Page：1 Pages	3AGSlo-BloFuse313/315Series	Littelfuselittelfuse 力特力特公司	Littelfuse
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FAJAE-434	文件：117.17 Kbytes Page：1 Pages	FRJAEASSEMBLY,6POSITIONAND8POSITION	AMPHENOLAmphenol Corporation 安费诺集团美国安费诺集团	AMPHENOL
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FDT434P	文件：244.57 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel2.5VSpecifiedPowerTrenchMOSFET GeneralDescription ThisP-Channel2.5VspecifiedMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sadvancedPowerTrenchprocessthathasbeenespeciallytailoredtominimizetheon-stateresistanceandyetmaintainlowgatechargeforsuperiorswitchingperformance. Features •–5.5A,	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDT434P-NL	文件：1.00552 Mbytes Page：8 Pages	P-Channel35V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

晶体管资料

型号：
BD434(A-C)(-10...-25)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
22V
最大电流允许值：
4A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BD186,BD196,CD50A,
最大耗散功率：
36W
放大倍数：
图片代号：
B-21
vtest：
22
htest：
100000100
atest：
4
wtest：
36

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