选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
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PANJITTO-252 |
33500 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
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ISCNA |
19960 |
23+ |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
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深圳市华芯源电子有限公司5年
留言
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NXP/恩智浦TO-220 |
90218 |
22+ |
终端免费提供样品 可开13%增值税发票 |
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深圳市维尔达电子有限公司7年
留言
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NXPTO-220 |
80000 |
2023+ |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
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深圳和润天下电子科技有限公司5年
留言
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NXP/恩智浦TO-220 |
90218 |
22+ |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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TO-220 |
10000 |
全新 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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NXPTO-TO-220 |
33500 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
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NXPTO-TO-220 |
12300 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
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NXP/恩智浦TO-220 |
25000 |
22+ |
只做原装进口现货,专注配单 |
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深圳市国宇半导体科技有限公司5年
留言
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NXP/恩智浦TO-220 |
10000 |
23+ |
公司只做原装正品 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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NXP/恩智浦TO-220 |
12888 |
2022+ |
原厂代理 终端免费提供样品 |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
30350 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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JINGDAO/晶导微GBJ |
69820 |
23+ |
终端可以免费供样,支持BOM配单! |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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NXPTO-220 |
90000 |
20+ |
全新原装正品/库存充足 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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PHLTO-220 |
8529 |
1738+ |
科恒伟业!只做原装正品,假一赔十! |
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深圳市华来深电子有限公司11年
留言
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NXPTO-220 |
11846 |
23+ |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
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无锡固电半导体股份有限公司4年
留言
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iscTO-220 |
4000 |
2024 |
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国产品牌isc,可替代原装 |
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深圳芯力源电子科技有限公司2年
留言
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N/A原厂封装 |
5177 |
23+ |
现货 |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
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BOURNSNA |
19960 |
23+ |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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Littelfuse(美国力特)插件 |
7350 |
23+ |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
BD540采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
BD540图片
BD540-30中文资料Alldatasheet PDF
更多BD540功能描述:两极晶体管 - BJT 45W PNP Silicon RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BD540-30制造商:TE CONNECTIVITY RAYCHEM-POLYSWITCH 功能描述:Blade Device / BD540-30
BD540A功能描述:两极晶体管 - BJT 45W PNP Silicon RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BD540A-S功能描述:两极晶体管 - BJT 60V 5A PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BD540B功能描述:两极晶体管 - BJT 45W PNP Silicon RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BD540B-S功能描述:两极晶体管 - BJT 80V 5A PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BD540C功能描述:两极晶体管 - BJT 45W PNP Silicon RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BD540C-S功能描述:两极晶体管 - BJT 100V 5A PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BD540S制造商:PANJIT 制造商全称:Pan Jit International Inc. 功能描述:SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
BD540-S功能描述:两极晶体管 - BJT 40V 5A PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
晶体管资料
- 型号:
- 别名:
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家:
- 制作材料:
Si-PNP
- 性质:
低频或音频放大 (LF)_功率放大 (L)
- 封装形式:
直插封装
- 极限工作电压:
120V
- 最大电流允许值:
5A
- 最大工作频率:
<1MHZ或未知
- 引脚数:
3
- 可代换的型号:
BD244,BD544,BD596,3CD50B,
- 最大耗散功率:
45W
- 放大倍数:
- 图片代号:
B-10
- vtest:
120
- htest:
999900
- atest:
5
- wtest:
45