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BD540	文件：104.34 Kbytes Page：5 Pages	PNP SILICON POWER TRANSISTORS PNP SILICON POWER TRANSISTORS ● Designed for Complementary Use with the BD539 Series ● 45 W at 25°C Case Temperature ● 5 A Continuous Collector Current ● Customer-Specified Selections Available 文件：104.34 Kbytes 页数：5 Pages	Bourns 伯恩斯	Bourns
BD540	文件：249.81 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION • DC Current Gain - : hFE = 40(Min.)@ IC= -0.5A • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -40V(Min) • Complement to Type BD539 APPLICATIONS • Designed for use in medium power linear and switching applications. 文件：249.81 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BD540	文件：85.18 Kbytes Page：6 Pages	PNP SILICON POWER TRANSISTORS PNP SILICON POWER TRANSISTORS ● Designed for Complementary Use with the BD539 Series ● 45 W at 25°C Case Temperature ● 5 A Continuous Collector Current ● Customer-Specified Selections Available 文件：85.18 Kbytes 页数：6 Pages	POINN	POINN
BD540	文件：129.62 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor 文件：129.62 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
BD540	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT PNP 40V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220	NJS	NJS
BD540A	文件：85.18 Kbytes Page：6 Pages	PNP SILICON POWER TRANSISTORS PNP SILICON POWER TRANSISTORS ● Designed for Complementary Use with the BD539 Series ● 45 W at 25°C Case Temperature ● 5 A Continuous Collector Current ● Customer-Specified Selections Available 文件：85.18 Kbytes 页数：6 Pages	POINN	POINN
BD540A	文件：104.34 Kbytes Page：5 Pages	PNP SILICON POWER TRANSISTORS PNP SILICON POWER TRANSISTORS ● Designed for Complementary Use with the BD539 Series ● 45 W at 25°C Case Temperature ● 5 A Continuous Collector Current ● Customer-Specified Selections Available 文件：104.34 Kbytes 页数：5 Pages	Bourns 伯恩斯	Bourns
BD540A	文件：249.83 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION • DC Current Gain - : hFE = 40(Min.)@ IC= -0.5A • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -60V(Min) • Complement to Type BD539A APPLICATIONS • Designed for use in medium power linear and switching applications. 文件：249.83 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BD540B	文件：104.34 Kbytes Page：5 Pages	PNP SILICON POWER TRANSISTORS PNP SILICON POWER TRANSISTORS ● Designed for Complementary Use with the BD539 Series ● 45 W at 25°C Case Temperature ● 5 A Continuous Collector Current ● Customer-Specified Selections Available 文件：104.34 Kbytes 页数：5 Pages	Bourns 伯恩斯	Bourns
BD540B	文件：249.82 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION • DC Current Gain - : hFE = 40(Min.)@ IC= -0.5A • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -80V(Min) • Complement to Type BD539B APPLICATIONS • Designed for use in medium power linear and switching applications. 文件：249.82 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

晶体管资料

型号：
BD540
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
120V
最大电流允许值：
5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BD244,BD544,BD596,3CD50B,
最大耗散功率：
45W
放大倍数：
图片代号：
B-10
vtest：
120
htest：
999900
atest：
5
wtest：
45

技术参数

Configuration：
Single
Material：
Si
Maximum Collector Base Voltage：
40V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
\\0.25@0.125A@1A0.8@0.375A@3A
Maximum Collector Emitter Voltage：
40V
Maximum DC Collector Current：
5A
Maximum Emitter Base Voltage：
5V
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Power Dissipation：
45000mW
Type：
PNP

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