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B304-P	文件：45.86 Kbytes Page：2 Pages	BLOCKTYPEAUTOMOTIVEPECTIFIER	MIC MIC GROUP RECTIFIERS	MIC
BA304	文件：45.83 Kbytes Page：2 Pages	BA/BCSeries:1.5-6.0WattsSingleandDualOutputs FEATURES •InputπFilter •FullyRegulatedOutputs •IndustryStandardPinouts •5,12,24,28,and48VDCInputs •RippleandNoiseLessThan50mVpp •Input/OutputIsolation	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
BB304	文件：293.45 Kbytes Page：1 Pages	SiliconEpitaxialPlanarDualCapacitanceDiodes Features: Commoncathode	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC1
BB304A	文件：60.17 Kbytes Page：3 Pages	SiliconVariableCapacitanceDiode(ForFMtunersMonolithicchipwithcommoncathodeforperfecttrackingofbothdiodes) SiliconVariableCapacitanceDiode PreliminaryData ●ForFMtuners ●Monolithicchipwithcommoncathodeforperfecttrackingofbothdiodes ●Uniformsquarelawcharacteristics ●IdealHifituningdevicewhenusedinLow-distortionback-tobackconfiguration ●Color-codedcapacitancesubgr	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
BB304C	文件：67.88 Kbytes Page：12 Pages	BuildinBiasingCircuitMOSFETICUHFRFAmplifier Features •BuildinBiasingCircuit; Toreduceusingpartscost&PCboardspace. •Highgain; (PG=29dBtyp.atf=200MHz) •Lownoisecharacteristics; (NF=1.2dBtyp.atf=200MHz) •Widesupplyvoltagerange; Applicablewith5Vto9Vsupplyvoltage. •Withstandi	HitachiHitachi, Ltd. 日立公司	Hitachi
BB304C	文件：217.81 Kbytes Page：10 Pages	BuiltinBiasingCircuitMOSFETICVHFRFAmplifier Features •BuiltinBiasingCircuit; Toreduceusingpartscost&PCboardspace. •Highgain; (PG=29dBtyp.atf=200MHz) •Lownoisecharacteristics; (NF=1.2dBtyp.atf=200MHz) •Widesupplyvoltagerange; Applicablewith5Vto9Vsupplyvoltage. •Withstandi	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
BB304CDW-TL-E	文件：217.81 Kbytes Page：10 Pages	BuiltinBiasingCircuitMOSFETICVHFRFAmplifier Features •BuiltinBiasingCircuit; Toreduceusingpartscost&PCboardspace. •Highgain; (PG=29dBtyp.atf=200MHz) •Lownoisecharacteristics; (NF=1.2dBtyp.atf=200MHz) •Widesupplyvoltagerange; Applicablewith5Vto9Vsupplyvoltage. •Withstandi	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
BB304M	文件：301.75 Kbytes Page：10 Pages	BuiltinBiasingCircuitMOSFETICVHFRFAmplifier Features •BuiltinBiasingCircuit;Toreduceusingpartscost&PCboardspace. •Highgain; (PG=29dBtyp.atf=200MHz) •Lownoisecharacteristics; (NF=1.2dBtyp.atf=200MHz) •Widesupplyvoltagerange; Applicablewith5Vto9Vsupplyvoltage. •Withstandingt	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
BB304M	文件：68.48 Kbytes Page：12 Pages	BuildinBiasingCircuitMOSFETICUHF/VHFRFAmplifier Features •BuildinBiasingCircuit;Toreduceusingpartscost&PCboardspace. •Highgain; (PG=29dBtyp.atf=200MHz) •Lownoisecharacteristics; (NF=1.2dBtyp.atf=200MHz) •Widesupplyvoltagerange; Applicablewith5Vto9Vsupplyvoltage. •Withstandingt	HitachiHitachi, Ltd. 日立公司	Hitachi
BB304MDW-TL-E	文件：301.75 Kbytes Page：10 Pages	BuiltinBiasingCircuitMOSFETICVHFRFAmplifier Features •BuiltinBiasingCircuit;Toreduceusingpartscost&PCboardspace. •Highgain; (PG=29dBtyp.atf=200MHz) •Lownoisecharacteristics; (NF=1.2dBtyp.atf=200MHz) •Widesupplyvoltagerange; Applicablewith5Vto9Vsupplyvoltage. •Withstandingt	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
BB-UHR304	文件：967.13 Kbytes Page：4 Pages	IndustrialUSB2.0&3.0Hubs Features(modeldependent) •ExpandoneUSBportto4or7USBports •USB2.0&USB3.0 •ESDprotection •HighretentionUSBconnectorsgripcablestight •Wideoperatingtemperature(USB2.0hubs) •USBhostportpowerorexternalPSUpower •Metalorplasticenclosures–desk,panel,DI	ADVANTECHAdvantech Co., Ltd. 研华科技研华科技（中国）有限公司	ADVANTECH
BC304	文件：45.83 Kbytes Page：2 Pages	BA/BCSeries:1.5-6.0WattsSingleandDualOutputs FEATURES •InputπFilter •FullyRegulatedOutputs •IndustryStandardPinouts •5,12,24,28,and48VDCInputs •RippleandNoiseLessThan50mVpp •Input/OutputIsolation	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
BC304	文件：15.37 Kbytes Page：1 Pages	BipolarPNPDeviceinaHermeticallysealedTO39	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
BC304	文件：122.29 Kbytes Page：2 Pages	PNPSILICONAFMEDIUMPOWERAMPLIFIERS&SWITCHES PNPSILICONAFMEDIUMPOWERAMPLIFIERS&SWITCHES	MICRO-ELECTRONICS Micro Electronics	MICRO-ELECTRONICS
BC304	文件：56.45 Kbytes Page：1 Pages	SmallSignalTransistors	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
BC304	文件：133.64 Kbytes Page：3 Pages	PNPEXPITAXIALPLANARSILICONTRANSISTORS	CDIL CDIL	CDIL
BD-A304ND	文件：250.16 Kbytes Page：3 Pages	hi-effredchips,GaAsPonGaPsubstrate	BRIGHTNINGBO BRIGHT ELECTRIC CO.,LTD 宁波明光宁波明光电器有限公司	BRIGHT
BD-C304ND	文件：239.08 Kbytes Page：3 Pages	hi-effredchips,whicharemadefromGaAsPonGaPsubstrate	BRIGHTNINGBO BRIGHT ELECTRIC CO.,LTD 宁波明光宁波明光电器有限公司	BRIGHT
BD-E304RD	文件：212.24 Kbytes Page：3 Pages	hi-effredchips,whicharemadefromGaAsPonGaPsubstrate	BRIGHTNINGBO BRIGHT ELECTRIC CO.,LTD 宁波明光宁波明光电器有限公司	BRIGHT
BD-F304RD	文件：243.32 Kbytes Page：3 Pages	hi-effredchips,whicharemadefromGaAsPonGaPsubstrate.	BRIGHTNINGBO BRIGHT ELECTRIC CO.,LTD 宁波明光宁波明光电器有限公司	BRIGHT

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晶体管资料

型号：
BD304
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
8A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BD204,BD598,CD50B,
最大耗散功率：
55W
放大倍数：
图片代号：
B-10
vtest：
60
htest：
999900
atest：
8
wtest：
55

详细参数

型号：
BD304
制造商：
ISC
制造商全称：
Inchange Semiconductor Company Limited
功能描述：
isc Silicon PNP Power Transistor

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	BD304			TO-220	10000	全新	询价
深圳市利加科技有限公司	BD304	ST	16+	TO-220	10000	全新原装现货	询价
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更多BD304供应商更新时间2024-5-29 14:00:00

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