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BB304CDW-TL-E中文资料瑞萨数据手册PDF规格书

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厂商型号

BB304CDW-TL-E

功能描述

Built in Biasing Circuit MOS FET IC VHF RF Amplifier

文件大小

217.81 Kbytes

页面数量

10

生产厂商

RENESAS

中文名称

瑞萨

网址

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数据手册

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更新时间

2026-1-26 23:02:00

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BB304CDW-TL-E规格书详情

特性 Features

• Built in Biasing Circuit;

To reduce using parts cost & PC board space.

• High gain;

(PG = 29 dB typ. at f = 200 MHz)

• Low noise characteristics;

(NF = 1.2 dB typ. at f = 200 MHz)

• Wide supply voltage range;

Applicable with 5V to 9V supply voltage.

• Withstanding to ESD;

Built in ESD absorbing diode.

Withstand up to 200V at C=200pF, Rs=0 conditions.

• Provide mini mold packages; CMPAK-4(SOT-343mod)

产品属性

  • 型号:

    BB304CDW-TL-E

  • 制造商:

    RENESAS

  • 制造商全称:

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述:

    Built in Biasing Circuit MOS FET IC VHF RF Amplifier

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS/瑞萨
24+
SOT343
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