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BB304C	文件：67.88 Kbytes Page：12 Pages	Build in Biasing Circuit MOS FET IC UHF RF Amplifier Features •BuildinBiasingCircuit; Toreduceusingpartscost&PCboardspace. •Highgain; (PG=29dBtyp.atf=200MHz) •Lownoisecharacteristics; (NF=1.2dBtyp.atf=200MHz) •Widesupplyvoltagerange; Applicablewith5Vto9Vsupplyvoltage. •Withstandi	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
BB304C	文件：217.81 Kbytes Page：10 Pages	Built in Biasing Circuit MOS FET IC VHF RF Amplifier Features •BuiltinBiasingCircuit; Toreduceusingpartscost&PCboardspace. •Highgain; (PG=29dBtyp.atf=200MHz) •Lownoisecharacteristics; (NF=1.2dBtyp.atf=200MHz) •Widesupplyvoltagerange; Applicablewith5Vto9Vsupplyvoltage. •Withstandi	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
BB304CDW-TL-E	文件：217.81 Kbytes Page：10 Pages	Built in Biasing Circuit MOS FET IC VHF RF Amplifier Features •BuiltinBiasingCircuit; Toreduceusingpartscost&PCboardspace. •Highgain; (PG=29dBtyp.atf=200MHz) •Lownoisecharacteristics; (NF=1.2dBtyp.atf=200MHz) •Widesupplyvoltagerange; Applicablewith5Vto9Vsupplyvoltage. •Withstandi	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
BB304M	文件：68.48 Kbytes Page：12 Pages	BuildinBiasingCircuitMOSFETICUHF/VHFRFAmplifier Features •BuildinBiasingCircuit;Toreduceusingpartscost&PCboardspace. •Highgain; (PG=29dBtyp.atf=200MHz) •Lownoisecharacteristics; (NF=1.2dBtyp.atf=200MHz) •Widesupplyvoltagerange; Applicablewith5Vto9Vsupplyvoltage. •Withstandingt	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
BB304M	文件：301.75 Kbytes Page：10 Pages	BuiltinBiasingCircuitMOSFETICVHFRFAmplifier Features •BuiltinBiasingCircuit;Toreduceusingpartscost&PCboardspace. •Highgain; (PG=29dBtyp.atf=200MHz) •Lownoisecharacteristics; (NF=1.2dBtyp.atf=200MHz) •Widesupplyvoltagerange; Applicablewith5Vto9Vsupplyvoltage. •Withstandingt	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
BB304MDW-TL-E	文件：301.75 Kbytes Page：10 Pages	BuiltinBiasingCircuitMOSFETICVHFRFAmplifier Features •BuiltinBiasingCircuit;Toreduceusingpartscost&PCboardspace. •Highgain; (PG=29dBtyp.atf=200MHz) •Lownoisecharacteristics; (NF=1.2dBtyp.atf=200MHz) •Widesupplyvoltagerange; Applicablewith5Vto9Vsupplyvoltage. •Withstandingt	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
BB-UHR304	文件：967.13 Kbytes Page：4 Pages	IndustrialUSB2.0&3.0Hubs Features(modeldependent) •ExpandoneUSBportto4or7USBports •USB2.0&USB3.0 •ESDprotection •HighretentionUSBconnectorsgripcablestight •Wideoperatingtemperature(USB2.0hubs) •USBhostportpowerorexternalPSUpower •Metalorplasticenclosures–desk,panel,DI	ADVANTECHAdvantech Co., Ltd. 研华科技研华科技（中国）有限公司	ADVANTECH
BC304	文件：122.29 Kbytes Page：2 Pages	PNPSILICONAFMEDIUMPOWERAMPLIFIERS&SWITCHES PNPSILICONAFMEDIUMPOWERAMPLIFIERS&SWITCHES	MICRO-ELECTRONICS Micro Electronics	MICRO-ELECTRONICS
BC304	文件：56.45 Kbytes Page：1 Pages	SmallSignalTransistors	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
BC304	文件：15.37 Kbytes Page：1 Pages	BipolarPNPDeviceinaHermeticallysealedTO39	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB

详细参数

型号：
BB304C
制造商：
HITACHI
制造商全称：
Hitachi Semiconductor
功能描述：
Build in Biasing Circuit MOS FET IC UHF RF Amplifier

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更多BB304C供应商更新时间2025-5-28 16:30:00

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