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BD138	文件：1.28503 Mbytes Page：4 Pages	丝印：BD138；Package：TO-126；TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES High Current Complement To BD135, BD137 And BD139 文件：1.28503 Mbytes 页数：4 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
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BD138	文件：126.97 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR (PNP) FEATURES Power dissipation PCM: 1.25 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: -1.5 A Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：126.97 Kbytes 页数：1 Pages	WINNERJOIN 永而佳	WINNERJOIN
BD138	文件：85.15 Kbytes Page：2 Pages	PNP General Purpose Transistor FEATURES • High Current 文件：85.15 Kbytes 页数：2 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
BD138	文件：188.34 Kbytes Page：5 Pages	PNP SILICON TRANSISTORS POWER TRANSISTORS PNP SILICON 文件：188.34 Kbytes 页数：5 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BD138	文件：194.48 Kbytes Page：2 Pages	PNP General Purpose Transistor FEATURES High Current 文件：194.48 Kbytes 页数：2 Pages	SY 顺烨电子	SY
BD138	文件：44.51 Kbytes Page：4 Pages	PNP SILICON TRANSISTORS Description These epitaxial planar transistors are mounted in the SOT-32 plastic package. They are designed for audio amplifiers and drivers utilizing complementary or quasi-complementary circuits. The NPN types are the BD135 and BD139, and the complementary PNP types are the BD136 and BD140. Fe 文件：44.51 Kbytes 页数：4 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
BD138	文件：104.52 Kbytes Page：4 Pages	Plastic Medium Power Silicon PNP Transistor 1.5 AMPERE POWER TRANSISTORS PNP SILICON 45, 60, 80 VOLTS 10 WATTS . . . designedfor use as audio amplifiers and drivers utilizing complementary or quasi complementary circuits. • DC Current Gain — hFE= 40 (Min) @ IC= 0.15 Adc • BD 136, 138, 140 are complementary with BD 135, 137, 139 文件：104.52 Kbytes 页数：4 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA

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晶体管资料

型号：
BD138(-6...-10)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
1.5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BD168,BD178,BD229,BD236,BD440,3CA4C,
最大耗散功率：
12.5W
放大倍数：
图片代号：
B-21
vtest：
60
htest：
999900
atest：
1.5
wtest：
12.5

详细参数

型号：
BD138
功能描述：
两极晶体管 - BJT PNP Audio Amplfier
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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