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BD138	文件：1.28503 Mbytes Page：4 Pages	丝印：BD138；Package：TO-126；TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES High Current Complement To BD135, BD137 And BD139 文件：1.28503 Mbytes 页数：4 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
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BD138	文件：85.15 Kbytes Page：2 Pages	PNP General Purpose Transistor FEATURES • High Current 文件：85.15 Kbytes 页数：2 Pages	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
BD138	文件：1.07636 Mbytes Page：4 Pages	TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (PNP) FEATURES ● High Current ● Complement To BD135, BD137 And BD139 文件：1.07636 Mbytes 页数：4 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
BD138	文件：126.97 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR (PNP) FEATURES Power dissipation PCM: 1.25 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: -1.5 A Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：126.97 Kbytes 页数：1 Pages	WINNERJOIN 永而佳	WINNERJOIN
BD138	文件：189.11 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION • With TO-126 package • High current • Complement to type BD135/137/139 APPLICATIONS • Driver stages in high-fidelity amplifiers and television circuits 文件：189.11 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BD138	文件：85.15 Kbytes Page：2 Pages	PNP General Purpose Transistor FEATURES • High Current 文件：85.15 Kbytes 页数：2 Pages	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
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详细参数

型号：
BD138
功能描述：
两极晶体管 - BJT PNP Audio Amplfier
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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