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BD234	文件：1.30158 Mbytes Page：4 Pages	丝印：BD234；Package：TO-126；TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Complement to BD233/BD235/BD237 respectively 文件：1.30158 Mbytes 页数：4 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
BD234-TU	文件：1.30158 Mbytes Page：4 Pages	丝印：BD234；Package：TO-126；TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Complement to BD233/BD235/BD237 respectively 文件：1.30158 Mbytes 页数：4 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
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BD234	文件：1.52839 Mbytes Page：4 Pages	TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (PNP) FEATURES ● Complement to BD233/BD235/BD237 respectively 文件：1.52839 Mbytes 页数：4 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
BD234	文件：191.85 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION • DC Current Gain- : hFE=40(Min)@lc=-0.15A • Complement to Type BD233/235/237 APPLICATIONS • Designed for use in 5-10 watt audio amplifiers and drivers utilizing complementary or quasi complementary circuits. 文件：191.85 Kbytes 页数：3 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
BD234	文件：62.86 Kbytes Page：4 Pages	SILICON PNP TRANSISTOR DESCRIPTION The BD234 is a silicon epitaxial-base PNP power transistor in Jedec SOT-32 plastic package inteded for use in medium power linear and switching applications. ■ SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPE ■ PNP TRANSISTOR 文件：62.86 Kbytes 页数：4 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
BD234	文件：37.69 Kbytes Page：4 Pages	Medium Power Linear and Switching Medium Power Linear and Switching Applications • Complement to BD 233/235/237 respectively 文件：37.69 Kbytes 页数：4 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
BD234	文件：101.96 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-126 package • Complement to type BD233/235 /237 APPLICATIONS • For medium power linear and switching applications 文件：101.96 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
BD234	文件：68.89 Kbytes Page：4 Pages	Plastic Medium Power Bipolar Transistors Plastic Medium Power Bipolar Transistors Designed for use in 5.0 to 10 W audio amplifiers and drivers utilizing complementary or quasi complementary circuits. Features • DC Current Gain − hFE = 40 (Min) @ IC = 0.15 Adc • Epoxy Meets UL 94 V0 @ 0.125 in • ESD Ratings: Human Body Model, 3B; > 文件：68.89 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

晶体管资料

型号：
BD234(-6...-16)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
45V
最大电流允许值：
2A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BD176,BD376,BD438,3CF3A,
最大耗散功率：
25W
放大倍数：
图片代号：
B-21
vtest：
45
htest：
999900
atest：
2
wtest：
25

详细参数

型号：
BD234
功能描述：
两极晶体管 - BJT 2A 45V 25W PNP
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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