选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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CJTO126 |
5000 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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CJ/长电TO-126 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市锦喆鸿电子有限公司5年
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FAITO-126 |
9986 |
20+ |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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ON/安森美TO-225 |
33911 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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PHILIPS/飞利浦TO-126 |
31518 |
17+ |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市正迈科技有限公司8年
留言
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仙童FAIRCHILDTO126 |
23500 |
23+ |
进口原装特价中只做原装QQ可在线咨询更多信息 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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ST/意法NA/ |
6010 |
23+ |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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PH/MOTTO-126 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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FAIRCTO-126 |
16800 |
2020+ |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!? |
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深圳市金芯世纪电子有限公司1年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO126 |
100000 |
22+ |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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STTO126 |
2760 |
95+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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CJ/长电TO-126 |
45000 |
23+ |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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CJ/长电TO-126 |
860000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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CJ/长晶TO126 |
990000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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TH/韩国太虹TO-126 |
9851 |
2048+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
留言
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长电TO-126 |
28015 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市星宇佳科技有限公司2年
留言
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ST/意法TO-126 |
6859 |
02+ |
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深圳市维尔达电子有限公司7年
留言
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ONSEMICONDUC |
80000 |
2023+ |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
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深圳市航润创能电子集团有限公司4年
留言
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STTO126 |
2760 |
21+ |
原装现货假一赔十 |
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深圳和润天下电子科技有限公司5年
留言
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ST/意法TO-126 |
95855 |
22+ |
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BD436S价格
BD436S价格:¥1.2588品牌:Fairchild
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BD436G功能描述:两极晶体管 - BJT 4A 32V 36W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BD436S功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BD436STU功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BD436T功能描述:两极晶体管 - BJT 4A 32V 36W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BD436TG功能描述:两极晶体管 - BJT 4A 32V 36W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
产品属性
- 产品编号:
BD436
- 制造商:
STMicroelectronics
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
散装
- 晶体管类型:
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
500mV @ 200mA,2A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
100µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
40 @ 10mA,5V
- 频率 - 跃迁:
3MHz
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-225AA,TO-126-3
- 供应商器件封装:
SOT-32-3
- 描述:
TRANS PNP 32V 4A SOT32-3