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BD237	文件：2.48834 Mbytes Page：5 Pages	丝印：BD237；Package：TO-126；TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Complement to BD234/BD236/BD238 respectively 文件：2.48834 Mbytes 页数：5 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
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BD237	文件：193.51 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • DC Current Gain- : hFE=40(Min)@lc=0.15A • Complement to Type BD234/236/238 APPLICATIONS • Designedfor use in 5-10 watt audio amplifiers and drivers utilizing complementaryor quasi complementarycircuits. 文件：193.51 Kbytes 页数：3 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
BD237	文件：113.02 Kbytes Page：3 Pages	80V, NPN TRANSISTORS DESCRIPTION The UTC BD237 is an NPN transistor. it uses UTC’s advanced technology to provide customers with high collector-emitter breakdown voltage, etc. FEATURES * Complement to UTC BD238 respectively * High collector-emitter breakdown voltage 文件：113.02 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC
BD237	文件：492.4 Kbytes Page：4 Pages	EPITAXIAL SILICON POWER TRANSISTORS EPITAXIAL SILICON POWER TRANSISTORS Intended for use in Medium Power Linear Switching Applications 文件：492.4 Kbytes 页数：4 Pages	CDIL	CDIL
BD237	文件：283.29 Kbytes Page：3 Pages	NPN Plastic-Encapsulate Transistors Features • Halogen free available upon request by adding suffix -HF • Power Dissipation: PCM =1.25W, Ta=25°C • Collector Current : IC=2A • Complement to BD234/236/238 respectively • Lead Free Finish/RoHS Compliant (Note1) (P Suffix designates RoHS Compliant. See ordering information) • Epoxy 文件：283.29 Kbytes 页数：3 Pages	MCC	MCC
BD237	文件：138.24 Kbytes Page：2 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS DESCRIPTION • DC Current Gain- : hFE=40(Min)@lc=0.15A • Complement to Type BD234/236/238 APPLICATIONS • Designedfor use in 5-10 watt audio amplifiers and drivers utilizing complementaryor quasi complementarycircuits. 文件：138.24 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
BD237	文件：125.97 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR (NPN) FEATURES Power dissipation PCM: 1.25 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: 2 A Collector-base voltage V(BR)CBO: BD233 : 45 V BD235: 60 V BD237: 100 V Operating and storage junction temperature range TJ : 150℃ Tstg: -65℃ to +150℃ 文件：125.97 Kbytes 页数：1 Pages	WINNERJOIN 永而佳	WINNERJOIN

晶体管资料

型号：
BD237(-6...-16)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
100V
最大电流允许值：
2A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BD179,BD379,BD441,3DD61D,
最大耗散功率：
25W
放大倍数：
图片代号：
B-21
vtest：
100
htest：
999900
atest：
2
wtest：
25

详细参数

型号：
BD237
功能描述：
两极晶体管 - BJT NPN General Purpose
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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