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BCP52	文件：1.74331 Mbytes Page：22 Pages	型号：BCP52；Package：SC-73；60 V, 1 A PNP medium power transistors Featuresandbenefits Highcurrent Threecurrentgainselections Highpowerdissipationcapability Exposedheatsinkforexcellentthermalandelectricalconductivity(SOT89,SOT1061) LeadlessverysmallSMDplasticpackagewithmediumpowercapability(SOT1061) AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司
BCP52/10	文件：1.74331 Mbytes Page：22 Pages	型号：BCP52-10；Package：SC-73；60 V, 1 A PNP medium power transistors Featuresandbenefits Highcurrent Threecurrentgainselections Highpowerdissipationcapability Exposedheatsinkforexcellentthermalandelectricalconductivity(SOT89,SOT1061) LeadlessverysmallSMDplasticpackagewithmediumpowercapability(SOT1061) AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司
BCP52/16	文件：1.74331 Mbytes Page：22 Pages	型号：BCP52-16；Package：SC-73；60 V, 1 A PNP medium power transistors Featuresandbenefits Highcurrent Threecurrentgainselections Highpowerdissipationcapability Exposedheatsinkforexcellentthermalandelectricalconductivity(SOT89,SOT1061) LeadlessverysmallSMDplasticpackagewithmediumpowercapability(SOT1061) AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司
BCP52-16	文件：1.31187 Mbytes Page：4 Pages	型号：BCP52-16；Package：SOT223；PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor Features ®HighCollectorCurrent ®LowCollector-emitterSaturationVoltage	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
BCP52T	文件：273.32 Kbytes Page：14 Pages	型号：BCP52T；Package：SC-73；60 V, 1 A PNP medium power transistors Featuresandbenefits •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •Threecurrentgainselections •Highpowerdissipationcapability •AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司
BCP52-16	文件：1.31259 Mbytes Page：4 Pages	型号：TPBCP52-16；Package：SOT223；PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor Features HighCollectorCurrent LowCollector-emitterSaturationVoltage	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC

详细参数

型号：
BCP52
功能描述：
两极晶体管 - BJT SOT-223 PNP GP AMP
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	BCP52	NEXPERIA/安世	25+	SOT223	600000	NEXPERIA/安世全新特价BCP52即刻询购立享优惠#长期有排单订	询价
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更多BCP52供应商更新时间2025-8-4 14:13:00

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