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BC859B	文件：355.55 Kbytes Page：9 Pages	丝印：4B；Package：SOT23；PNP general purpose transistors FEATURES •Low current (max. 100 mA) •Low voltage (max. 45 V). 文件：355.55 Kbytes 页数：9 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BC859B	文件：922.79 Kbytes Page：7 Pages	General Purpose Transistors General Purpose Transistors PNP Silicon • Moisture Sensitivity Level: 1 • ESD Rating – Human Body Model: >4000 V – Machine Model: >400 V • We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. 文件：922.79 Kbytes 页数：7 Pages	YEASHIN 亚昕科技	YEASHIN
BC859B	文件：137.75 Kbytes Page：8 Pages	PNP general purpose transistors DESCRIPTION PNP transistor in a SOT23 plastic package. NPN complements: BC849 and BC850. FEATURES • Low current (max. 100 mA) • Low voltage (max. 45 V). APPLICATIONS • Low noise input stages of audio frequency equipment. 文件：137.75 Kbytes 页数：8 Pages	恩XP	恩XP
BC859B	文件：41.03 Kbytes Page：2 Pages	PNP General Purpose Transistor ■ Features ● Low current (max. 100 mA) ● Low voltage (max. 45 V). ● NPN complements: BC849 and BC850. 文件：41.03 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
BC859B	文件：271.92 Kbytes Page：8 Pages	PNP Silicon AF Transistors (For AF input stages and driver applications High current gain Low collector-emitter saturation voltage) Features ● For AF input stages and driver applications ● High current gain ● Low collector-emitter saturation voltage ● Low noise between 30 Hz and 15 kHz ● Complementary types: BC 846, BC 847, BC 849, BC 850 (NPN) 文件：271.92 Kbytes 页数：8 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BC859B-4B	文件：35.74 Kbytes Page：3 Pages	SOT23 PNP SILICON PLANAR GENERAL PURPOSE TRANSISTORS 文件：35.74 Kbytes 页数：3 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
BC859BF	文件：165.44 Kbytes Page：8 Pages	PNP Silicon AF Transistor PNP Silicon AF Transistor • For AF input stages and driver applications • High current gain • Low collector-emitter saturation voltage • Low noise between 30 Hz and 15 kHz • Complementary types: BC847BF, BC848BF BC849BF, BC850BF (NPN) 文件：165.44 Kbytes 页数：8 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BC859BL	文件：830.81 Kbytes Page：9 Pages	GENERAL PURPOSE TRANSISTORS PNP SILICON DESCRIPTION The BC856 857 858 859 A L BL/ CL are available in SOT 23 p ackage FEATURES ⚫ Moisture Sensitivity Level: 1 ⚫ ESD Rating Human Body Model: >4000 V Machine Model: >400 V ⚫ Availabl e in SOT 23 p ackage 文件：830.81 Kbytes 页数：9 Pages	AITSEMI 创瑞科技	AITSEMI
BC859BLT1	文件：109.14 Kbytes Page：8 Pages	General Purpose Transistors General Purpose Transistors PNP Silicon Features • Pb−Free Packages are Available 文件：109.14 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC859BLT1G	文件：172.95 Kbytes Page：7 Pages	General Purpose Transistors PNP Silicon General Purpose Transistors PNP Silicon Features • S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 文件：172.95 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

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晶体管资料

型号：
BC859
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低噪放大（ra）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
30V
最大电流允许值：
0.1A
最大工作频率：
150MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BCF29,BCF30,BCF70,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-15
vtest：
30
htest：
150000000
atest：
0.1
wtest：
0

技术参数

Compliance：
Pb-freeHalide free
Status：
Active
Description：
PNP Epitaxial Silicon Transistor
Polarity：
PNP
Type：
General Purpose
VCE(sat) Max (V)：
Condition
IC Cont. (A)：
0.1
VCEO Min (V)：
30
VCBO (V)：
30
VEBO (V)：
5
VBE(sat) (V)：
0.7
VBE(on) (V)：
0.6
hFE Min：
Condition
hFE Max：
Condition
fT Min (MHz)：
Condition
PTM Max (W)：
0.31
Package Type：
SOT-23-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市弘为电子有限公司	BC859	PHI	24+	SOT23	3000	原装现货假一罚十	询价
深圳市振宏微科技有限公司	BC859	SOT-23	23+	NA	15659	振宏微专业只做正品,假一罚百!	询价
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深圳市卓越微芯电子有限公司	BC859C	恩XP	25+	SOT23	10600	百分百原装正品真实公司现货库存本公司只做原装可	询价
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深圳市利加科技有限公司	BC859ALT1	ON	16+	NA	8800	原装现货,货真价优	询价
深圳市欧立现代科技有限公司	BC859C	PHI	24+	SMD	6980	原装现货,可开13%税票	询价

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