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BC859S	文件：488.12 Kbytes Page：2 Pages	Power dissipation, plastic case, Weight approx Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors • Power dissipation 300 mW • Plastic case SOT-363 • Weight approx. 0.01 g • Plastic material has UL classification 94V-0 • Standard packaging taped and reeled 文件：488.12 Kbytes 页数：2 Pages	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
BC859W	文件：278.56 Kbytes Page：4 Pages	PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor for general purpose and switching applications 文件：278.56 Kbytes 页数：4 Pages	SEMTECH_ELEC 先之科半导体	SEMTECH_ELEC
BC859W	文件：330.54 Kbytes Page：8 Pages	丝印：4D；Package：SOT323；PNP general purpose transistors FEATURES •Low current (max. 100 mA) •Low voltage (max. 45 V). 文件：330.54 Kbytes 页数：8 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BC859W	文件：50.33 Kbytes Page：2 Pages	PNP General Purpose Transistor ■ Features ● Low current (max. 100 mA) ● Low voltage (max. 45 V). ● Complements to BC849W and BC850W. 文件：50.33 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
BC859W	文件：91.32 Kbytes Page：4 Pages	PNP GENERAL PURPOSE TRANSISTORS VOLTAGE 30/45/65 Volts CURRENT 200 mWatts FEATURES • General purpose amplifier applications • PNP epitaxial silicon, planar design • Collector current IC = 100mA • Complimentary (NPN) Devices:BC846W/BC847W/BC848W/ BC849W Series • In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives 文件：91.32 Kbytes 页数：4 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
BC859W	文件：129.18 Kbytes Page：7 Pages	PNP general purpose transistors DESCRIPTION PNP transistor in a SOT323 plastic package. NPN complements: BC849W and BC850W. FEATURES • Low current (max. 100 mA) • Low voltage (max. 45 V). APPLICATIONS • Low noise stages in tape recorders, hi-fi amplifiers and other audio-frequency equipment. 文件：129.18 Kbytes 页数：7 Pages	恩XP	恩XP
BC859W	文件：184.51 Kbytes Page：2 Pages	Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors • Power dissipation 200 mW • Plastic case SOT-323 • Weight approx. 0.01 g • Plastic material has UL classification 94V-0 • Standard packaging taped and reeled 文件：184.51 Kbytes 页数：2 Pages	DIOTEC 德欧泰克	DIOTEC
BC859W	文件：229.98 Kbytes Page：8 Pages	PNP Silicon AF Transistors • For AF input stages and driver applications • High current gain • Low collector-emitter saturation voltage • Low noise between 30 Hz and 15 kHz • Complementary types: BC846W, BC847W, BC848W, BC849W, BC850W (NPN) 文件：229.98 Kbytes 页数：8 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BC859W	文件：46.38 Kbytes Page：8 Pages	PNP general purpose transistors DESCRIPTION PNP transistor in a SOT323 plastic package. NPN complements: BC849W and BC850W. FEATURES • Low current (max. 100 mA) • Low voltage (max. 45 V). APPLICATIONS • Low noise stages in tape recorders, hi-fi amplifiers and other audio-frequency equipment. 文件：46.38 Kbytes 页数：8 Pages	PHI PHI	PHI
BC859_15	文件：149.36 Kbytes Page：8 Pages	PNP general purpose transistors 文件：149.36 Kbytes 页数：8 Pages	PHI PHI	PHI

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晶体管资料

型号：
BC859
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低噪放大（ra）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
30V
最大电流允许值：
0.1A
最大工作频率：
150MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BCF29,BCF30,BCF70,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-15
vtest：
30
htest：
150000000
atest：
0.1
wtest：
0

技术参数

Compliance：
Pb-freeHalide free
Status：
Active
Description：
PNP Epitaxial Silicon Transistor
Polarity：
PNP
Type：
General Purpose
VCE(sat) Max (V)：
Condition
IC Cont. (A)：
0.1
VCEO Min (V)：
30
VCBO (V)：
30
VEBO (V)：
5
VBE(sat) (V)：
0.7
VBE(on) (V)：
0.6
hFE Min：
Condition
hFE Max：
Condition
fT Min (MHz)：
Condition
PTM Max (W)：
0.31
Package Type：
SOT-23-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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