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BC847BFAQ-7B	文件：395.9 Kbytes Page：7 Pages	45V NPN SMALL SIGNAL TRANSISTOR Description ThisBipolarJunctionTransistor(BJT)isdesignedtomeetthestringentrequirementsofAutomotiveApplications. Features •BVCEO>45V •IC=100mAHighCollectorCurrent •PD=435mWPowerDissipation •0.48mm2PackageFootprint,16TimesSmallerthanSOT23 •0.4mmHeightPac	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
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BC847BFAQ-7B

文件：395.9 Kbytes

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45V NPN SMALL SIGNAL TRANSISTOR

Description ThisBipolarJunctionTransistor(BJT)isdesignedtomeetthestringentrequirementsofAutomotiveApplications. Features •BVCEO>45V •IC=100mAHighCollectorCurrent •PD=435mWPowerDissipation •0.48mm2PackageFootprint,16TimesSmallerthanSOT23 •0.4mmHeightPac

DIODES

Diodes Incorporated

DIODES

BC847BFAQ-7B

文件：100 bytes

Page：1 Pages

Package：3-XFDFN；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 45V 0.1A 3DFN

PAM

Diodes Incorporated

PAM

产品属性

产品编号：
BC847BFAQ-7B
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
系列：
Automotive, AEC-Q101
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
300mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
15nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
200 @ 2mA，5V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
3-XFDFN
供应商器件封装：
X2-DFN0806-3
描述：
TRANS NPN 45V 0.1A 3DFN

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BC847BFAQ-7B供应商更新时间2025-5-2 8:12:00

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