选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市鸿昌盛电子科技有限公司12年
留言
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10000 |
2015+ |
公司现货库存 |
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深圳市振鑫微电子科技有限公司4年
留言
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ON(安森美)N/A |
589610 |
23+ |
新到现货 原厂一手货源 价格秒杀代理! |
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深圳市壹芯创科技有限公司12年
留言
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ONSOT-563 |
23000 |
22+ |
全新原装现货,量大特价,原厂正规渠道! |
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深圳市鸿昌盛电子科技有限公司12年
留言
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10 |
2015+ |
公司现货库存 |
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深圳市宏桥达半导体有限公司3年
留言
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ON/安森美SOT563 |
500000 |
22+ |
原厂渠道/找正品元器件就找宏桥达/实报实货/诚信第一/ |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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ON-安森美SOT-563 |
18800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市九方航科技有限公司3年
留言
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ON/安森美SOT563 |
5000 |
22+ |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
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onsemiSOT-563,SOT-666 |
30000 |
23+ |
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晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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onsemi(安森美)SOT-563 |
3727 |
23+ |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
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深圳市恒凯威科技开发有限公司8年
留言
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ON/安森美SOT-563 |
8080 |
21+ |
只做原装,质量保证 |
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深圳市赛特兴科技有限公司3年
留言
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ONSOT563 |
4000 |
22+ |
正规渠道,只有原装! |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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ONSOT563DPBF |
6000 |
08+ |
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深圳市振鑫微电子科技有限公司4年
留言
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ON |
589610 |
23+ |
新到现货 原厂一手货源 价格秒杀代理! |
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深圳市振鑫微电子科技有限公司5年
留言
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ON(安森美)N/A |
589610 |
23+ |
新到现货 原厂一手货源 价格秒杀代理! |
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深圳市品优时代科技有限公司5年
留言
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ON/安森美NA |
8000 |
2021/2022+ |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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ONSOT563 |
13500 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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ON-安森美SOT-563 |
36218 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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ON/安森美SOT-563 |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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ON/安森美NA |
860000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市宝隆宏业科技有限公司7年
留言
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ON/安森美NA |
98800 |
2122+ |
全新原装正品现货,假一赔十 |
BC847BPDXV6采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
BC847BPDXV6图片
BC847BPDXV6T1G价格
BC847BPDXV6T1G价格:¥0.3360品牌:ONSemi
生产厂家品牌为ONSemi的BC847BPDXV6T1G多少钱,想知道BC847BPDXV6T1G价格是多少?参考价:¥0.3360。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,BC847BPDXV6T1G批发价格及采购报价,BC847BPDXV6T1G销售排行榜及行情走势,BC847BPDXV6T1G报价。
BC847BPDXV6T1资讯
BC847BPDXV6 深圳市裕信利电子有限公司
ADI(美国模拟器件)、Atmel(爱特梅尔)、NXP(恩智浦半导体)、TI(BB德州仪器)、Maxim(美信)、ST(意法半导体)、ON(安森美)、Fairchild(仙童)、Micron(美光)、IR(国际整流器)、LT(凌力尔特)、Freescale(飞思卡尔半导体)
BC847BPDXV6T1中文资料Alldatasheet PDF
更多BC847BPDXV6T1功能描述:两极晶体管 - BJT 100mA 50V Dual RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC847BPDXV6T1_05制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Dual General Purpose Transistor
BC847BPDXV6T1D制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Dual General Purpose Transistor
BC847BPDXV6T1G功能描述:两极晶体管 - BJT 100mA 50V Dual Complementary RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC847BPDXV6T5功能描述:两极晶体管 - BJT 100mA 50V Dual RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC847BPDXV6T5G功能描述:两极晶体管 - BJT 100mA 50V Dual Complementary RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2