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BC847BPDXV6	文件：116.51 Kbytes Page：6 Pages	NPN/PNP Dual General Purpose Transistor 文件：116.51 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC847BPDXV6	文件：300 bytes Page：1 Pages	双 NPN PNP 双极晶体管 This Dual NPN PNP Bipolar Transistor is designed for general purpose amplifier applications. It is housed in the SOT-563, which is designed for low power surface mount applications. • S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AECQ101 Qualified and PPAP Capable;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC847BPDXV6T1	文件：95.82 Kbytes Page：8 Pages	Dual General Purpose Transistor Dual General Purpose Transistor NPN/PNP Dual (Complementary) This transistor is designed for general purpose amplifier applications. It is housed in the SOT−563 which is designed for low power surface mount applications. • Lead−Free Solder Plating 文件：95.82 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC847BPDXV6T5	文件：95.82 Kbytes Page：8 Pages	Dual General Purpose Transistor Dual General Purpose Transistor NPN/PNP Dual (Complementary) This transistor is designed for general purpose amplifier applications. It is housed in the SOT−563 which is designed for low power surface mount applications. • Lead−Free Solder Plating 文件：95.82 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC847BPDXV6_13	文件：116.51 Kbytes Page：6 Pages	NPN/PNP Dual General Purpose Transistor 文件：116.51 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC847BPDXV6T1	文件：82.18 Kbytes Page：8 Pages	Dual General Purpose Transistor 文件：82.18 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC847BPDXV6T1_05	文件：82.18 Kbytes Page：8 Pages	Dual General Purpose Transistor 文件：82.18 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC847BPDXV6T1D	文件：82.18 Kbytes Page：8 Pages	Dual General Purpose Transistor 文件：82.18 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC847BPDXV6T1G	文件：82.18 Kbytes Page：8 Pages	Dual General Purpose Transistor 文件：82.18 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC847BPDXV6T1G	文件：116.51 Kbytes Page：6 Pages	NPN/PNP Dual General Purpose Transistor 文件：116.51 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Polarity：
Complementary
Type：
General Purpose
VCE(sat) Max (V)：
0.25
IC Cont. (A)：
0.1
VCEO Min (V)：
45
VCBO (V)：
50
VEBO (V)：
6
VBE(sat) (V)：
0.7
VBE(on) (V)：
0.66
hFE Min：
200
hFE Max：
475
fT Min (MHz)：
100
PTM Max (W)：
0.5
Package Type：
SOT-563

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