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BC847BLP4-7	文件：125.65 Kbytes Page：4 Pages	NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features • BVCEO > 45V • IC = 100mA High Collector Current • PD = 1000mW Power Dissipation • 0.60mm2 Package Footprint, 13 times smaller than SOT23 • 0.4mm Height Package Minimizing Off-Board Profile • Complementary NPN Type: BC857BLP4 • Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 文件：125.65 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BC847BLP4-7	文件：148.77 Kbytes Page：5 Pages	45V NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR 文件：148.77 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BC847BLP4-7	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：3-XFDFN；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 45V 0.1A 3DFN	DIODES 美台半导体	DIODES
BC847BLP4-7B	文件：148.77 Kbytes Page：5 Pages	45V NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR 文件：148.77 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BC847BLP4-7B	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：3-XFDFN；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 45V 0.1A 3DFN	DIODES 美台半导体	DIODES

产品属性

产品编号：
BC847BLP4-7
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
600mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
15nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
200 @ 2mA，5V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
3-XFDFN
供应商器件封装：
X2-DFN1006-3
描述：
TRANS NPN 45V 0.1A 3DFN

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