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BC847CDXV6T1G	文件：102.33 Kbytes Page：5 Pages	Dual General Purpose Transistors Dual General Purpose Transistors NPN Duals These transistors are designed for general purpose amplifier applications. They are housed in the SOT−563 which is designed for low power surface mount applications. Features • These are Pb−Free Devices 文件：102.33 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC847CDXV6T1G	文件：138.67 Kbytes Page：5 Pages	Dual General Purpose Transistors 文件：138.67 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC847CDXV6T1G	文件：102.11 Kbytes Page：5 Pages	Dual General Purpose Transistors 文件：102.11 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC847CDXV6T1G_11	文件：138.67 Kbytes Page：5 Pages	Dual General Purpose Transistors 文件：138.67 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC847CDXV6T1G	文件：300 bytes Page：1 Pages	三极管	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

集电极电流Ic：
100mA
Vce的电压值：
45V
类型：
2 NPN（双）

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更多BC847CDXV6T1G供应商更新时间2026-2-9 16:10:00

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