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BC807W-Q	文件：310.97 Kbytes Page：14 Pages	45V,500mANPNgeneral-purposetransistors Featuresandbenefits •Highcurrent •Threecurrentgainselections •QualifiedaccordingtoAEC-Q101andrecommendedforuseinautomotiveapplications	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC807W-Q	文件：308.26 Kbytes Page：14 Pages	45V,500mAPNPgeneral-purposetransistors Featuresandbenefits •Highcurrent •Threecurrentgainselections •QualifiedaccordingtoAEC-Q101andrecommendedforuseinautomotiveapplications	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC807W-Q_SER	文件：308.26 Kbytes Page：14 Pages	45V,500mAPNPgeneral-purposetransistors Featuresandbenefits •Highcurrent •Threecurrentgainselections •QualifiedaccordingtoAEC-Q101andrecommendedforuseinautomotiveapplications	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC807-XX	文件：555.56 Kbytes Page：3 Pages	Ldeallysuitedforautomaticinsertion FEATURES ·Ldeallysuitedforautomaticinsertion ·epitaxialplanardieconstruction ·complementaryNPNtypeavailable(BC817)	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
BD807	文件：245.69 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·DCCurrentGain-:hFE=30(Min.)@IC=2A ·Collector-EmitterSustainingVoltage-:VCEO(SUS)=60V(Min) ·ComplementtoTypeBD808 APPLICATIONS ·Designedforuseinhighpoweraudioamplifiersutilizingcomplementaryorquasicomplementarycircuits.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BD807	文件：127.88 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNPowerTransistor	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BGO807	文件：82.39 Kbytes Page：10 Pages	870MHzopticalreceivers Generaldescription HighdynamicrangeopticalreceiveramplifiermodulesinastandardSOT115packagewherethenon-jacketedfiberhaseithernoconnectororhasanFC/APCorSC/APCconnector. Features ■Excellentlinearity ■Lownoise ■Excellentflatness ■StandardCATVoutline ■Rugged	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BS807	文件：63.15 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEDMOSTRANSISTOR Features •HighBreakdownVoltage •HighInputImpedance •FastSwitchingSpeed •SpeciallySuitedforTelephoneSubsets •IdealforAutomatedSurfaceMountAssembly	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BU807	文件：110.55 Kbytes Page：3 Pages	POWERTRANSISTORS(8.0A,150-200V,60W)	MOSPECMospec Semiconductor 统懋统懋半导体股份有限公司	MOSPEC
BU807	文件：59.97 Kbytes Page：4 Pages	MEDIUMVOLTAGENPNFASTSWITCHINGDARLINGTONTRANSISTORS DESCRIPTION ThedevicesaresiliconEpitaxialPlanarNPNpowertransistorsinDarlingtonconfigurationwithintegratedbase-emitterspeed-updiode,mountedinTO-220plasticpackage. Theycanbeusedinhorizontaloutputstagesof110oCRTvideodisplays. ■STMicroelectronicsPREFERREDSALESTYP	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

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