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BU807	文件：110.55 Kbytes Page：3 Pages	POWER TRANSISTORS(8.0A,150-200V,60W)	MOSPEC MOSPEC
BU807	文件：59.97 Kbytes Page：4 Pages	MEDIUM VOLTAGE NPN FAST SWITCHING DARLINGTON TRANSISTORS DESCRIPTION ThedevicesaresiliconEpitaxialPlanarNPNpowertransistorsinDarlingtonconfigurationwithintegratedbase-emitterspeed-updiode,mountedinTO-220plasticpackage. Theycanbeusedinhorizontaloutputstagesof110oCRTvideodisplays. ■STMicroelectronicsPREFERREDSALESTYP	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
BU807	文件：41.34 Kbytes Page：4 Pages	High Voltage & Fast Switching Darlington Transistor HighVoltage&FastSwitchingDarlingtonTransistor •UsingInHorizontalOutputStagesof110°CrtVideoDisplays •BUILT-INSPEED-UPDiodeBetweenBaseandEmitter	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
BU807	文件：116.49 Kbytes Page：3 Pages	FAST SWITCHING DARLINGTON TRANSISTOR	bocaBoca semiconductor corporation 博卡博卡半导体公司
BU807	文件：347.01 Kbytes Page：2 Pages	NPN SILICON DARLINGTON TRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORBU806andBU807typesareNPNSiliconDarlingtonTransistorsdesignedforhighvoltage,highcurrent,fastswitchingapplications.	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体
BU807	文件：164.3 Kbytes Page：6 Pages	FAST SWITCHING DARLINGTON TRANSISTORS DESCRIPTION TheBUB806/807andBUBO6FI/807F!aresilicon epitaxialplanarNPNpowertransistorsinDar- lingtonconfigurationwithintegratedbase-emitter speed-updiode,mountedrespectivelyinTO-220 plasticpackageandISOWATT220fullyisolated package.Theyarehighvoltage,highcurrent	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
BU807	文件：127.15 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Darlington Power Transistor	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司
BU807	文件：347.35 Kbytes Page：2 Pages	NPN SILICON DARLINGTON TRANSISTORv	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体
BU807	文件：199.17 Kbytes Page：2 Pages	High Voltage: VCBO= 330V(Min)	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
BU807	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商
BU807	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：TO-220-3 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN DARL 150V 8A TO220-3	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体
BU807	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：TO-220-3 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN DARL 150V 8A TO220	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
BU807	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：TO-220-3 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN DARL 150V 8A TO220-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
BU807FI	文件：94.06 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION •HighVoltage:VCBO=330V(Min) •LowSaturationVoltage-:VCE(sat)=1.5V(Max)@IC=5A APPLICATIONS •DesignedforuseinhorizontaldeflectioncircuitsinTV’sandCRT’s.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
BU807FI	文件：125.37 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION •HighVoltage:VCBO=330V(Min) •LowSaturationVoltage-:VCE(sat)=1.5V(Max)@IC=5A APPLICATIONS •DesignedforuseinhorizontaldeflectioncircuitsinTV’sandCRT’s.	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司
BU807FI	文件：164.3 Kbytes Page：6 Pages	FAST SWITCHING DARLINGTON TRANSISTORS DESCRIPTION TheBUB806/807andBUBO6FI/807F!aresilicon epitaxialplanarNPNpowertransistorsinDar- lingtonconfigurationwithintegratedbase-emitter speed-updiode,mountedrespectivelyinTO-220 plasticpackageandISOWATT220fullyisolated package.Theyarehighvoltage,highcurrent	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
807-SERIES	文件：263.29 Kbytes Page：3 Pages	807SeriesHighTempCardEdgeConnector\|Green\|0.156(3.96mm)Pitch\|0.200(5.08mm)RowSpacing\|LowProfileInsulator Features 0.156(3.96mm)ContactSpacingby0.200(5.08mm)RowSpacing Accepts.062(1.57mm)NominalThicknessP.C.Board LowProfileInsulatorBody,0.473(12.01mm) ContactTerminationOptionsincludeP.C.Tail,WireHole,WireWrap,90andExtenderBoardBends SingleorDualRowConfiguratio	EDACEDAC, All Rights Reserved. 亚得电子亚得电子（东莞）有限公司
A807	文件：104.21 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountBackBoxes	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商
A807ERW	文件：196 Kbytes Page：2 Pages	LowCost,8WDIPWideInputRangeDC/DCConverters	MPD MPD (Memory Protection Devices)
AD807	文件：226.08 Kbytes Page：12 Pages	FiberOpticReceiverwithQuantizerandClockRecoveryandDataRetiming PRODUCTDESCRIPTION TheAD807providesthereceiverfunctionsofdataquantization,signalleveldetect,clockrecoveryanddataretimingfor155MbpsNRZdata.Thedevice,togetherwithaPINdiode/preamplifiercombination,canbeusedforahighlyintegrated,lowcost,lowpowerSONETOC-3orS	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

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晶体管资料

型号：
BU807
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+Darl+Di
性质：
功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
330V
最大电流允许值：
8A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BU184,BU189,
最大耗散功率：
60W
放大倍数：
图片代号：
B-10
vtest：
330
htest：
999900
atest：
8
wtest：
60

产品属性

产品编号：
BU807
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.5V @ 50mA，5A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100µA
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220
描述：
TRANS NPN DARL 150V 8A TO220

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市莱克讯科技有限公司	BU807	WS	2017+	TO-220	21458	深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票	询价
深圳市特顺芯科技有限公司	BU807			TO-220	10000	全新	询价
深圳市弘为电子有限公司	BU807	ST	16+	原厂封装	4000	原装现货假一罚十	询价
深圳市博浩通科技有限公司	BU807	ST	23+	TO-126	5882	全新原装现货	询价
深圳市永贝尔科技有限公司	BU807	FAIRCHILD	23+	NA	19960	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价
上海意淼电子科技有限公司	BU807	ROHM	23+	EMT3	12000	全新原装假一赔十	询价
深圳市锦喆鸿电子有限公司	BU807	ST	21+	TO-220	12588	原装正品,自己库存假一罚十	询价
深圳市百视威讯电子科技有限公司	BU807		23+	N/A	65210	正品授权货源可靠	询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	BU807	FSC	23+	TO-TO-220	12300	全新原装真实库存含13点增值税票!	询价
深圳市纳艾斯科技有限公司	BU807	PH	2020+	TO-220	80000	只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增	询价

更多BU807供应商更新时间2024-4-24 16:13:00

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