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BU807	文件：41.34 Kbytes Page：4 Pages	High Voltage & Fast Switching Darlington Transistor High Voltage & Fast Switching Darlington Transistor • Using In Horizontal Output Stages of 110° Crt Video Displays • BUILT-IN SPEED-UP Diode Between Base and Emitter 文件：41.34 Kbytes 页数：4 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
BU807	文件：116.49 Kbytes Page：3 Pages	FAST SWITCHING DARLINGTON TRANSISTOR 文件：116.49 Kbytes 页数：3 Pages	BOCA 博卡	BOCA
BU807	文件：347.01 Kbytes Page：2 Pages	NPN SILICON DARLINGTON TRANSISTOR DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR BU806 and BU807 types are NPN Silicon Darlington Transistors designed for high voltage, high current, fast switching applications. 文件：347.01 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
BU807	文件：110.55 Kbytes Page：3 Pages	POWER TRANSISTORS(8.0A,150-200V,60W) 文件：110.55 Kbytes 页数：3 Pages	MOSPEC 统懋	MOSPEC
BU807	文件：59.97 Kbytes Page：4 Pages	MEDIUM VOLTAGE NPN FAST SWITCHING DARLINGTON TRANSISTORS DESCRIPTION The devices are silicon Epitaxial Planar NPN power transistors in Darlington configuration with integrated base-emitter speed-up diode, mounted in TO-220 plastic package. They can be used in horizontal output stages of 110 oCRT video displays. ■ STMicroelectronics PREFERRED SALESTYP 文件：59.97 Kbytes 页数：4 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
BU807	文件：164.3 Kbytes Page：6 Pages	FAST SWITCHING DARLINGTON TRANSISTORS DESCRIPTION The BUB806/807 and BUBO6FI/807F! are silicon epitaxial planar NPN power transistors in Dar- lington configuration with integrated base-emitter speed-up diode, mounted respectively in TO-220 plastic package and ISOWATT220 fully isolated package. They are high voltage, high current 文件：164.3 Kbytes 页数：6 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
BU807	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS 文件：2.43533 Mbytes 页数：31 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
BU807	文件：199.17 Kbytes Page：2 Pages	High Voltage: VCBO= 330V(Min) 文件：199.17 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BU807	文件：127.15 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Darlington Power Transistor 文件：127.15 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
BU807	文件：347.35 Kbytes Page：2 Pages	NPN SILICON DARLINGTON TRANSISTORv 文件：347.35 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL

晶体管资料

型号：
BU807
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+Darl+Di
性质：
功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
330V
最大电流允许值：
8A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BU184,BU189,
最大耗散功率：
60W
放大倍数：
图片代号：
B-10
vtest：
330
htest：
999900
atest：
8
wtest：
60

产品属性

产品编号：
BU807
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.5V @ 50mA，5A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100µA
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220
描述：
TRANS NPN DARL 150V 8A TO220

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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