| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
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STTO-3PF |
8529 |
1738+ |
科恒伟业!只做原装正品,假一赔十! |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
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ISCNA |
19960 |
23+ |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
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深圳市华来深电子有限公司11年
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STTO-3PF |
8650 |
23+ |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
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无锡固电半导体股份有限公司4年
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iscTO-3PF |
50 |
2024 |
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国产品牌isc,可替代原装 |
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BU921PFI图片
BU921PFI中文资料Alldatasheet PDF
更多BU921PFI制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:HIGH VOLTAGE POWER DISSIPATION
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-N+Darl+Di
- 性质：
功率放大 （L）
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
450V
- 最大电流允许值：
10A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
2
- 可代换的型号：
- 最大耗散功率：
55W
- 放大倍数：
β>30
- 图片代号：
E-44
- vtest：
450
- htest：
999900
- atest：
10
- wtest：
55
