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BU921P

HIGH VOLTAGE POWER DISSIPATION

HIGH VOLTAGE POWER DISSIPATION

文件:272.06 Kbytes 页数:5 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

BU921P

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

文件:243.45 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

BU921PFI

HIGH VOLTAGE POWER DISSIPATION

HIGH VOLTAGE POWER DISSIPATION

文件:272.06 Kbytes 页数:5 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

BU921PFI

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

文件:249.81 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

BU921PFI

Trans Darlington NPN 400V 10A 3-Pin(3+Tab) ISOWATT218

NJS

NJS

技术参数

  • Number of Elements per Chip:

    1

  • Minimum Operating Temperature:

    -65°C

  • Maximum Operating Temperature:

    150°C

  • Maximum Emitter Base Voltage:

    5V

  • Maximum Continuous DC Collector Current:

    10A

  • Maximum Collector Emitter Voltage:

    400V

  • Maximum Base Emitter Saturation Voltage:

    2.2@50mA@5A2.5@140mA@7A

  • Configuration:

    Single

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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