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BU807	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN DARL 150V 8A TO220-3	CENTRAL	CENTRAL
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BU807	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN DARL 150V 8A TO220-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BU807FI	文件：164.3 Kbytes Page：6 Pages	FAST SWITCHING DARLINGTON TRANSISTORS DESCRIPTION The BUB806/807 and BUBO6FI/807F! are silicon epitaxial planar NPN power transistors in Dar- lington configuration with integrated base-emitter speed-up diode, mounted respectively in TO-220 plastic package and ISOWATT220 fully isolated package. They are high voltage, high current 文件：164.3 Kbytes 页数：6 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
BU807FI	文件：125.37 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION • High Voltage: VCBO= 330V(Min) • Low Saturation Voltage- : VCE(sat)= 1.5V(Max)@ IC= 5A APPLICATIONS • Designed for use in horizontal deflection circuits in TV’s and CRT’s. 文件：125.37 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
BU807FI	文件：94.06 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION • High Voltage: VCBO= 330V(Min) • Low Saturation Voltage- : VCE(sat)= 1.5V(Max)@ IC= 5A APPLICATIONS • Designed for use in horizontal deflection circuits in TV’s and CRT’s. 文件：94.06 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BU807TU	文件：300 bytes Page：1 Pages	TRANS NPN DARL 150V 8A TO-220	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

晶体管资料

型号：
BU807
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+Darl+Di
性质：
功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
330V
最大电流允许值：
8A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BU184,BU189,
最大耗散功率：
60W
放大倍数：
图片代号：
B-10
vtest：
330
htest：
999900
atest：
8
wtest：
60

产品属性

产品编号：
BU807
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.5V @ 50mA，5A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100µA
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220
描述：
TRANS NPN DARL 150V 8A TO220

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