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BU921T	文件：247.19 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION • High Voltage • DARLINGTON APPLICATIONS • Designed for automotive ignition applications and inverter circuits for motor control. 文件：247.19 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BU921T	文件：272.06 Kbytes Page：5 Pages	HIGH VOLTAGE POWER DISSIPATION HIGH VOLTAGE POWER DISSIPATION 文件：272.06 Kbytes 页数：5 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
BU921T	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans Darlington NPN 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220	NJS 新泽西半导体	NJS
LMV921	文件：736.17 Kbytes Page：27 Pages	1.8V, 1MHz, Low Power Operational Amplifiers with Rail-To-Rail Input and Output 文件：736.17 Kbytes 页数：27 Pages	NSC 国半	NSC
UN921D	文件：202.25 Kbytes Page：15 Pages	Silicon NPN epitaxial planer transistor For digital circuits ■ Features ● Costs can be reduced through downsizing of the equipment and reduction of the number of parts. ● SS-Mini type package, allowing automatic insertion through tape packing and magazine packing. 文件：202.25 Kbytes 页数：15 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC
UNR921N	文件：202.25 Kbytes Page：15 Pages	Silicon NPN epitaxial planer transistor For digital circuits ■ Features ● Costs can be reduced through downsizing of the equipment and reduction of the number of parts. ● SS-Mini type package, allowing automatic insertion through tape packing and magazine packing. 文件：202.25 Kbytes 页数：15 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC

晶体管资料

型号：
BU921T
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+Darl+Di
性质：
开关管（S）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
450V
最大电流允许值：
10A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
2SD1162,
最大耗散功率：
105W
放大倍数：
图片代号：
B-10
vtest：
450
htest：
999900
atest：
10
wtest：
105

技术参数

Number of Elements per Chip：
1
Minimum Operating Temperature：
-65°C
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Emitter Base Voltage：
5V
Maximum Continuous DC Collector Current：
10A
Maximum Collector Emitter Voltage：
400V
Maximum Base Emitter Saturation Voltage：
2.2@50mA@5A2.5@140mA@7A
Configuration：
Single

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