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BC807W	文件：1.65002 Mbytes Page：4 Pages	SOT-323Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES •Ldeallysuitedforautomaticinsertion •Epitaxialplanardieconstruction •ComplementarytoBC817W	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
BC807W	文件：842.07 Kbytes Page：6 Pages	SiliconPNPtransistorinaSOT-323PlasticPackage Descriptions SiliconPNPtransistorinaSOT-323PlasticPackage. Features Highcurrent,lowvoltagecomplementarypairwithBC817W. Applications Generalpurposeswitchingandamplification.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
BC807W	文件：242.05 Kbytes Page：19 Pages	45V,500mAPNPgeneral-purposetransistors	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BC807W	文件：184.45 Kbytes Page：3 Pages	PNPPlasticEncapsulateTransistor FEATURES •Ideallysuitedforautomaticinsertion •Epitaxialplanardieconstruction •ComplementarytoBC817W	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
BC807W	文件：228.3 Kbytes Page：5 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
BC807W	文件：585.71 Kbytes Page：2 Pages	EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
BC807W	文件：149.71 Kbytes Page：2 Pages	SMDGeneralPurposePNPTransistors	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec
BC807W	文件：316.5 Kbytes Page：13 Pages	45V,500mAPNPgeneral-purposetransistors Featuresandbenefits •Highcurrent •Threecurrentgainselections	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC807W	文件：319.45 Kbytes Page：13 Pages	45V,500mANPNgeneral-purposetransistors Featuresandbenefits •Highcurrent •Threecurrentgainselections	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC807W	文件：1.91136 Mbytes Page：4 Pages	SOT-323Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES Ldeallysuitedforautomaticinsertion Epitaxialplanardieconstruction ComplementarytoBC817W	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ

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