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BC516	文件：162.4 Kbytes Page：3 Pages	PNP Darlington Transistor Features • This Device is Designed for Applications Reguiring Extremely High Current Gain at Currents to 1 A. • This is a Pb−Free Device 文件：162.4 Kbytes 页数：3 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC516_D27Z	文件：31.37 Kbytes Page：4 Pages	PNP Darlington Transistor PNP Darlington Transistor • This device is designed for applications reguiring extremely high current gain at currents to 1mA. • Sourced from process 61. 文件：31.37 Kbytes 页数：4 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
BC516-D27Z	文件：162.4 Kbytes Page：3 Pages	PNP Darlington Transistor Features • This Device is Designed for Applications Reguiring Extremely High Current Gain at Currents to 1 A. • This is a Pb−Free Device 文件：162.4 Kbytes 页数：3 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC517	文件：171.4 Kbytes Page：5 Pages	NPN Darlington Transistor Features • This Device is Designed for Applications Requiring Extremely High Current Gain at Currents to 1.0 A • Sourced from Process 05 • This is a Pb−Free Device 文件：171.4 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC517	文件：43.99 Kbytes Page：8 Pages	NPN Darlington transistor DESCRIPTION NPN Darlington transistor in a TO-92; SOT54 plastic package. PNP complement: BC516. FEATURES • High current (max. 500 mA) • Low voltage (max. 30 V) • Very high DC current gain (min. 30000). APPLICATIONS • Where very high amplification is required. 文件：43.99 Kbytes 页数：8 Pages	PHI PHI	PHI
BC517	文件：181.04 Kbytes Page：2 Pages	EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE HIGH DARLINGTON TRANSISTOR) GENERAL PURPOSE HIGH DARLINGTON TRANSISTOR. 文件：181.04 Kbytes 页数：2 Pages	KECKEC(Korea Electronics) 开益禧无锡开益禧半导体有限公司	KEC
BC517	文件：206.21 Kbytes Page：6 Pages	Darlington Transistors Darlington Transistors NPN Silicon 文件：206.21 Kbytes 页数：6 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
BC517	文件：68.35 Kbytes Page：1 Pages	COMPLEMENTARY SILICON PLANAR EPITAXIAL DARLINGTON TRANSISTOR The BC516(PNP) and BC517(NPN) are complementary silicon planar epitaxial darlington transistors designed for preamplifier input stages requiring high input impendence and high gain. 文件：68.35 Kbytes 页数：1 Pages	MICRO-ELECTRONICS	MICRO-ELECTRONICS
BC517	文件：148.28 Kbytes Page：6 Pages	Darlington Transistors(NPN Silicon) Darlington Transistors NPN Silicon Features • Pb−Free Packages are Available* 文件：148.28 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC517	文件：29.02 Kbytes Page：3 Pages	NPN Darlington Transistor Features • This device is designed for applications requiring extremely high current gain at currents to 1.0 A. • Sourced from process 05. 文件：29.02 Kbytes 页数：3 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD

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晶体管资料

型号：
BC507(F)(A,B)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
通用型（Uni）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
70V
最大电流允许值：
0.2A
最大工作频率：
200MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BC174,BC190,BC546,3DG181G,
最大耗散功率：
0.36W
放大倍数：
β=450
图片代号：
A-23
vtest：
70
htest：
200000000
atest：
0.2
wtest：
0.36

技术参数

传感器类型：
Thermistor Element
制造商：
Littelfuse
产品型号：
BC501B1K
产品类别：
Temperature Sensors

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