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BC516	文件：44.1 Kbytes Page：8 Pages	PNP Darlington transistor DESCRIPTION PNP Darlington transistor in a TO-92; SOT54 plastic package. NPN complement: BC517. FEATURES • High current (max. 500 mA) • Low voltage (max. 30 V) • Very high DC current gain (min. 30000). APPLICATIONS • Where very high amplification is required. 文件：44.1 Kbytes 页数：8 Pages	PHI 飞利浦	PHI
BC516	文件：373.63 Kbytes Page：1 Pages	TO-92 PACKAGE TO-92 PACKAGE 文件：373.63 Kbytes 页数：1 Pages	KEC KEC(Korea Electronics)	KEC
BC516	文件：401.89 Kbytes Page：3 Pages	Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (PNP) FEATURES ● High DC Current Gain ● High Collector Current 文件：401.89 Kbytes 页数：3 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
BC516	文件：68.35 Kbytes Page：1 Pages	COMPLEMENTARY SILICON PLANAR EPITAXIAL DARLINGTON TRANSISTOR The BC516(PNP) and BC517(NPN) are complementary silicon planar epitaxial darlington transistors designed for preamplifier input stages requiring high input impendence and high gain. 文件：68.35 Kbytes 页数：1 Pages	MICRO-ELECTRONICS	MICRO-ELECTRONICS
BC516	文件：78.3 Kbytes Page：1 Pages	PNP Silicon Darlington Transistor PNP Silicon Darlington Transistor 文件：78.3 Kbytes 页数：1 Pages	SEMTECH_ELEC 先之科半导体	SEMTECH_ELEC
BC516	文件：138.8 Kbytes Page：4 Pages	PNP Silicon Darlington Transistor (High current gain High collector current) PNP Silicon Darlington Transistor ● High current gain ● High collector current ● Complementary type: BC 517 (NPN) 文件：138.8 Kbytes 页数：4 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BC516	文件：25.26 Kbytes Page：3 Pages	PNP Darlington Transistor PNP Darlington Transistor • This device is designed for applications reguiring extremely high current gain at currents to 1mA. • Sourced from process 61. 文件：25.26 Kbytes 页数：3 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
BC516	文件：162.4 Kbytes Page：3 Pages	PNP Darlington Transistor Features • This Device is Designed for Applications Reguiring Extremely High Current Gain at Currents to 1 A. • This is a Pb−Free Device 文件：162.4 Kbytes 页数：3 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC516	文件：254.88 Kbytes Page：4 Pages	PNP Darlington Transistor 文件：254.88 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC516-D27Z	文件：254.88 Kbytes Page：4 Pages	丝印：BC516；Package：TO-92；PNP Darlington Transistor 文件：254.88 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

晶体管资料

型号：
BC516
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+Darl
性质：
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
40V
最大电流允许值：
0.4A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BC876,MPS-S65-66,
最大耗散功率：
0.625W
放大倍数：
图片代号：
A-23
vtest：
40
htest：
999900
atest：
0.4
wtest：
0.625

产品属性

产品编号：
BC516
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
PNP - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1V @ 100µA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
30000 @ 20mA，2V
频率 - 跃迁：
200MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
供应商器件封装：
TO-92-3
描述：
TRANS PNP DARL 30V 1A TO92-3

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