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BB501C	文件：71 Kbytes Page：13 Pages	Build in Biasing Circuit MOS FET IC UHF/VHF RF Amplifier Features •BuildinBiasingCircuit;Toreduceusingpartscost&PCboardspace. •Highgain;PG=21.5dBtyp.atf=900MHz •Lownoise;NF=1.85dBtyp.atf=900MHz •WithstandingtoESD;BuildinESDabsorbingdiode.Withstandupto200VatC=200pF,Rs=0conditions. •Providemi	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
BB501C	文件：198.46 Kbytes Page：10 Pages	Built in Biasing Circuit MOS FET IC UHF RF Amplifier Features •BuiltinBiasingCircuit;Toreduceusingpartscost&PCboardspace. •Highgain;PG=21.5dBtyp.atf=900MHz •Lownoise;NF=1.85dBtyp.atf=900MHz •WithstandingtoESD;BuiltinESDabsorbingdiode.Withstandupto200VatC=200pF,Rs=0conditions. •Providemi	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
BB501CAS-TL-E	文件：198.46 Kbytes Page：10 Pages	Built in Biasing Circuit MOS FET IC UHF RF Amplifier Features •BuiltinBiasingCircuit;Toreduceusingpartscost&PCboardspace. •Highgain;PG=21.5dBtyp.atf=900MHz •Lownoise;NF=1.85dBtyp.atf=900MHz •WithstandingtoESD;BuiltinESDabsorbingdiode.Withstandupto200VatC=200pF,Rs=0conditions. •Providemi	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
BB501M	文件：300.86 Kbytes Page：11 Pages	BuiltinBiasingCircuitMOSFETICUHFRFAmplifier Features •BuiltinBiasingCircuit;Toreduceusingpartscost&PCboardspace. •Highgain;PG=21.5dBtyp.atf=900MHz •Lownoise;NF=1.85dBtyp.atf=900MHz •WithstandingtoESD;BuiltinESDabsorbingdiode.Withstandupto200VatC=200pF,Rs=0conditions. •Providemi	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
BB501M	文件：71.04 Kbytes Page：13 Pages	BuildinBiasingCircuitMOSFETICUHF/VHFRFAmplifier Features •BuildinBiasingCircuit;Toreduceusingpartscost&PCboardspace. •Highgain;PG=21.5dBtyp.atf=900MHz •Lownoise;NF=1.85dBtyp.atf=900MHz •WithstandingtoESD;BuildinESDabsorbingdiode.Withstandupto200VatC=200pF,Rs=0conditions. •Providemi	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
BB501MAS-TL-E	文件：300.86 Kbytes Page：11 Pages	BuiltinBiasingCircuitMOSFETICUHFRFAmplifier Features •BuiltinBiasingCircuit;Toreduceusingpartscost&PCboardspace. •Highgain;PG=21.5dBtyp.atf=900MHz •Lownoise;NF=1.85dBtyp.atf=900MHz •WithstandingtoESD;BuiltinESDabsorbingdiode.Withstandupto200VatC=200pF,Rs=0conditions. •Providemi	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
BC501	文件：45.83 Kbytes Page：2 Pages	BA/BCSeries:1.5-6.0WattsSingleandDualOutputs FEATURES •InputπFilter •FullyRegulatedOutputs •IndustryStandardPinouts •5,12,24,28,and48VDCInputs •RippleandNoiseLessThan50mVpp •Input/OutputIsolation	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
BC501S	文件：181.38 Kbytes Page：1 Pages	HardToolStorageModule,S-Hook TheBucketWorkCenterisanecosystemthatwillrevampthewayaLinemanworks.ItallowsLinemantocustomizetheirworkspace,justlikeother professionalscustomizetheirofficespace.TheKleinToolsHardToolStorageModulehasmultipleslotstoaccommodateawidevarietyofLineman tools.	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
BD501	文件：109.89 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION ·Collector-EmitterSustainingVoltage-:VCEO(SUS)=50V(Min) 80V(Min) ·HighPowerDissipation APPLICATIONS ·Designedforuseinhighpoweraudioamplifiersutilizingcomplementaryorquasicomplementary	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BD501	文件：128.02 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNPowerTransistors	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI

详细参数

型号：
BB501C
制造商：
HITACHI
制造商全称：
Hitachi Semiconductor
功能描述：
Build in Biasing Circuit MOS FET IC UHF/VHF RF Amplifier

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