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BS170FTA	文件：956.5 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •LowThreshold:2V(typ.) •LowInputCapacitance:25pF •FastSwitchingSpeed:25ns •LowInputandOutputLeakage •TrenchFET®PowerMOSFET •1200VESDProtection •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC BENEFITS •L	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI
BS170FTA	文件：985.93 Kbytes Page：3 Pages	60VN-ChannelMosfet Application ®Dictlogicevelinterface:TTLICMOS ®Divers:rays,solenoids,lamps,hammersdisplay, memories,transistors,tc. ®Batteryoperatedsystems ®Solid-staterelays	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
BS170G	文件：52.79 Kbytes Page：4 Pages	SmallSignalMOSFETSmallSignalMOSFETSmallSignalMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodefieldeffecttransistorsareproducedusingONSemiconductorsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Theseproductshavebeendesignedtominimizeon-stateresistancewhileproviderugged,reliable,andfastswitchingperformance.The	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BS170G	文件：57.97 Kbytes Page：4 Pages	SmallSignalMOSFET500mA,60VoltsN?묬hannelTO??2(TO??26)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BS170G	文件：98.34 Kbytes Page：4 Pages	SmallSignalMOSFET500mA,60Volts SmallSignalMOSFET500mA,60Volts N−ChannelTO−92(TO−226) Features •Pb−FreePackageisAvailable*	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BS170KL	文件：73.25 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •ESDProtected:2000V APPLICATIONS •DirectLogic-LevelInterface:TTL/CMOS •Solid-StateRelays •Drivers:Relays,Solenoids,Lamps,Hammers, Display,Memories,Transistors,etc. •BatteryOperatedSystems	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BS170L	文件：25.36 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelEnhancement-ModeMOSTransistor DESCRIPTION The2N7000utilizesCalogic’sverticalDMOStechnology.ThedeviceiswellsuitedforswitchingapplicationswhereBVof60Vandlowonresistance(under5ohms)arerequired.The2N7000ishousedinaplasticTO-92package.	Calogic Calogic, LLC	Calogic
BS170P	文件：22.09 Kbytes Page：1 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEVERTICALDMOSFET	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
BS170P	文件：626.5 Kbytes Page：6 Pages	60VN-CHANNELENHANCEMENTMODEVERTICALDMOSFET Features BVDSS>60V RDS(ON)≤5Ω@VGS=10V ID=270mAMaximumContinuousDrainCurrent TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BS170PSTZ	文件：626.5 Kbytes Page：6 Pages	60VN-CHANNELENHANCEMENTMODEVERTICALDMOSFET Features BVDSS>60V RDS(ON)≤5Ω@VGS=10V ID=270mAMaximumContinuousDrainCurrent TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES

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