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BS170P	文件：626.5 Kbytes Page：6 Pages	丝印：BS170P；Package：E-Line；60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOSFET Features BVDSS > 60V RDS(ON) ≤ 5Ω @ VGS= 10V ID = 270mA Maximum Continuous Drain Current Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability 文件：626.5 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BS170PSTZ	文件：626.5 Kbytes Page：6 Pages	丝印：BS170P；Package：E-Line；60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOSFET Features BVDSS > 60V RDS(ON) ≤ 5Ω @ VGS= 10V ID = 270mA Maximum Continuous Drain Current Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability 文件：626.5 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BS170P	文件：22.09 Kbytes Page：1 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET 文件：22.09 Kbytes 页数：1 Pages	Zetex	Zetex
BS170P	文件：300 bytes Page：1 Pages	60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOSFET •BVDSS > 60V\n•RDS(ON) ≤ 5Ω @ VGS= 10V\n•ID = 270mA Maximum Continuous Drain Current\n•Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant \n•Halogen and Antimony Free. “Green” Device \n•Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability;	Diodes 美台半导体	Diodes
BS170P	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin E-Line	NJS	NJS

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
No
Polarity：
N
ESD Diodes：
No
VDS：
60 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
0.27 A
PD @ TA = +25°C：
0.625 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
3 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
N/A nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A nC
Packages：
TO92

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深圳市一线半导体有限公司	BS170P	ZetexInc	24+	E-Line	3353		询价
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更多BS170P供应商更新时间2025-10-9 16:30:00

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