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厂商型号

BS170P

功能描述

60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOSFET

丝印标识

BS170P

封装外壳

E-Line

文件大小

626.5 Kbytes

页面数量

6

生产厂商

DIODES

中文名称

美台半导体

网址

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数据手册

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更新时间

2025-12-13 10:50:00

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BS170P规格书详情

特性 Features

BVDSS > 60V

RDS(ON) ≤ 5Ω @ VGS= 10V

ID = 270mA Maximum Continuous Drain Current

Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)

Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)

Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

产品属性

  • 型号:

    BS170P

  • 功能描述:

    MOSFET N-Chnl 60V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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