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CTLL2012F-FH	文件：306.59 Kbytes Page：1 Pages	Multi-layerChipInductors-Ceramic	CTCentral Technologies 中基科技中基科技（香港）有限公司	CT
CTLL2012FH	文件：717.64 Kbytes Page：1 Pages	Multi-layerChipInductors-Ceramic	CTCentral Technologies 中基科技中基科技（香港）有限公司	CT
CTLPF2012	文件：174.08 Kbytes Page：1 Pages	Multi-layerChipLowPassFilters	CTCentral Technologies 中基科技中基科技（香港）有限公司	CT
CZRB2012	文件：97.36 Kbytes Page：5 Pages	SurfaceMountZenerDiode Voltage:11-100VoltsPower:2.0Watt Features -Forsurfacemountedapplicationsinordertooptimizeboardspace -Lowprofilepackage -Built-instrainrelief -Glasspassivatedjunction -Lowinductance -Excellentclampingcapability -TypicalIlessthan1uAabove11VD -Highte	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
D2012	文件：24.28 Kbytes Page：1 Pages	SiNPNTRANSISTOR DESCRIPTIONANDFEATURES 1.Collector-Emittervoltage:BVCBO=60V 2.Collectorcurrentupto3A 3.HighhFElinearity	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC1
D2012	文件：133.1 Kbytes Page：5 Pages	AudioFrequencyPowerAmplifierApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
D2012UK	文件：53.88 Kbytes Page：4 Pages	METALGATERFSILICONFET	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
DG2012	文件：73.01 Kbytes Page：8 Pages	Low-VoltageSingleSPDTAnalogSwitch DESCRIPTION TheDG2012isasingle-pole/double-throwmonolithicCMOSanalogswitchdesignedforhighperformanceswitchingofanalogsignals.Combininglowpower,highspeed(tON:17ns,tOFF:13ns),lowon-resistance(rDS(on):1Ω)andsmallphysicalsize(SC70),theDG2012isidealforportabl	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
DG2012	文件：122.14 Kbytes Page：9 Pages	Low-VoltageSingleSPDTAnalogSwitch	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
DG2012DL	文件：73.01 Kbytes Page：8 Pages	Low-VoltageSingleSPDTAnalogSwitch DESCRIPTION TheDG2012isasingle-pole/double-throwmonolithicCMOSanalogswitchdesignedforhighperformanceswitchingofanalogsignals.Combininglowpower,highspeed(tON:17ns,tOFF:13ns),lowon-resistance(rDS(on):1Ω)andsmallphysicalsize(SC70),theDG2012isidealforportabl	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
DG2012E	文件：166 Kbytes Page：10 Pages	Powered-offProtection,1??1.8Vto5.5V,SPDTAnalogSwitch(2:1Multiplexer) FEATURES •Lowswitchon-resistance(1) •1.65Vto5.5Vsinglesupplyoperation •Isolationinpowered-offmode •ControllogicinputscangooverV+ •Lowchargeinjection(5pC) •Lowtotalharmonicdistortion •Breakbeforemakeswitching •Latch-upperformanceexceeds300mAperJE	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
DGD2012	文件：497.02 Kbytes Page：11 Pages	HIGH-SIDEANDLOW-SIDEGATEDRIVER	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
DMP2012SN	文件：202.82 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR Description ThisMOSFEThasbeendesignedtominimizetheon-stateresistanceandyetmaintainsuperiorswitchingperformance,makingitidealforhighefficiencypowermanagementapplications. Features •LowOn-Resistance •LowGateThresholdVoltage •LowInputCapacitance •FastSwitching	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
DMP2012SN	文件：249.6 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
DPO2012B	文件：1.03188 Mbytes Page：18 Pages	MixedSignalOscilloscopes	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
DPO2012B	文件：961.61 Kbytes Page：18 Pages	MixedSignalOscilloscopes MixedSignalOscilloscopes Offeringupto200MHzbandwidthand1GS/ssamplerate,theMSO/DPO2000BMixedSignalOscilloscopeSeriesfromTektronixdeliversadvanceddebugfeaturesatanentry-levelprice.Quicklyfindanddiagnoseproblemsincomplexdesignswithupto20channelsforanalyzin	TEKTRONIXTektronix 泰克泰克科技(中国)有限公司	TEKTRONIX
DS2012SF	文件：464.09 Kbytes Page：5 Pages	STANDARDRECOVERYDIODE FEATURES ➤Widecurrentrange ➤Highvoltageratingsupto6000V ➤Highsurgecurrentcapabilities ➤Diffusedjunction TYPICALAPPLICATIONS ➤Converters ➤Powersupplies ➤Machinetoolcontrols ➤Highpowerdrives ➤Mediumtractionapplications	IRI IRI	IRI
DS2012SF	文件：92.43 Kbytes Page：7 Pages	RectifierDiode FEATURES ■DoubleSideCooling ■HighSurgeCapability APPLICATIONS ■Rectification ■FreewheelDiode ■DCMotorControl ■PowerSupplies ■Welding ■BatteryChargers	Dynex Dynex	Dynex
DSOX2012A	文件：5.94645 Mbytes Page：23 Pages	InfiniiVision2000X-series	KEYSIGHTKeysight Technologies 德科技（中国德科技（中国）有限公司	KEYSIGHT
DTS2012	文件：306.38 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel30V(D-S)MOSFET	DINTEK DinTek Semiconductor Co,.Ltd	DINTEK

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详细参数

型号：
B2012RW
制造商：
MPD
制造商全称：
MicroPower Direct, LLC
功能描述：
Compact 1 x 2 Inch 20W Wide Input Range DC/DC Con vert ers

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
北京光敏源科技有限公司	B2012-TB	长江连接器	2022+		10000	只做原装，可提供样品	询价
深圳市振芯物联科技有限公司	B2012-TP	CJT(长江连接器)	22+	连接器	123000	主打连接器供应,现货库存	询价
深圳市骏创达科技有限公司	B2012-TP	CJT	2308+		318031	一级代理,原装正品,公司现货!	询价
北京三盛恒业电子有限公司	B2012-TP	CJT	22+	N/A	2500	进口原装,优势现货	询价
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更多B2012RW供应商更新时间2024-5-31 10:02:00

详细参数

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